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為了限制本討論的范圍，請考慮采用同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲的MOSFET選擇方法，該方法適用于PC主板和電信應用的DC / DC轉(zhuǎn)換器。為特定應用尋找合適的MOSFET涉及最小化損耗并了解這些損耗如何取決于開關頻率，電流，占空比以及開關上升和下降時間。此信息指導選擇工具開發(fā)。
鑒于現(xiàn)有的MOSFET選擇范圍廣泛，以及為主板電源分配的不斷縮小的空間，使用可靠，一致的方法選擇正確的MOSFET變得越來越重要。這種方法可以加速開發(fā)周期，同時優(yōu)化特定于應用的設計。詳細閱讀>>
干貨
“MOSFET”是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。小信號MOSFET主要用于模擬電路的信號放大和阻抗變換，但也可應用于開關或斬波。功率MOSFET除少數(shù)應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關和驅(qū)動器，工作于開關狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強型MOSFET，它具有優(yōu)良的開關特性。
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功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導致其流過更大的電流，結果溫度更高，從而形成局部熱點導致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負溫度系數(shù)區(qū)。詳細閱讀>>
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以下將詳細介紹功率MOSFET最基礎的知識，包括：什么是MOSFET，MOSFET的結構、工作原理、基本特性、幾個常用參數(shù)、選型原則等，保證大家看完就懂！詳細閱讀>>
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意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。詳細閱讀>>
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通信設備和服務器中，在插入和拔出電路板和板卡進行維修或者調(diào)整容量時，系統(tǒng)必須能夠保持正常工作。當后級的電路板和板卡接入前級電源系統(tǒng)時，由于后級電路輸入端帶有大的濾波電容，那么，在上電的瞬間電容相當于短路，大的電容充電電流和負載電流一起作用，產(chǎn)生大的浪涌電流，同時大的浪涌電流導致高的電流和電壓變化率，對系統(tǒng)產(chǎn)生一系列的安全問題。詳細閱讀>>
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功率場效應晶體管由于承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設計要求，計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配之后，在此基礎上設計了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在驅(qū)動無刷直流電機的應用中證明，該電路驅(qū)動能力及保護功能效果良好。詳細閱讀>>
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以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控制方法，不僅適用于負載開關，還廣泛用于電機控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動電路。詳細閱讀>>
經(jīng)典案例
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功率MOSFET的結溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命，數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來評估電路中功率MOSFET的結溫。本文主要來說明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動態(tài)熱阻的測量方法，以及它們的限制條件。詳細閱讀>>
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功率MOSFET有三個工作狀態(tài)，在漏極導通特性曲線上，對應的是三個工作區(qū)：截止區(qū)，線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線性區(qū)有時也稱為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。詳細閱讀>>
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使用功率MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。詳細閱讀>>
近年來，功率MOSFET廣泛地應用于電源、計算機及外設（軟、硬盤驅(qū)動器、打印機、掃描器等）、消費類電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車電子及工業(yè)控制等領域。
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