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能源電力

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。

2012-05-21

IGBT Power MOS 8 Microsemi

美國Molycorp CEO：通過“鳳凰計劃”逐步增加美國稀土產量

稀土在生產高科技產品、可再生能源發電裝置及電動汽車（EV）等時不可或缺，其關注度正不斷提高。有關中國稀土產量占全球一半以上、過度依賴中國存在風險之類討論一直不斷。隨著稀土價格不斷上漲，中國以外其他產地的稀土開發越來越活躍。關于現狀及今后的預測，中國外全球最大稀土開采商美國Molyco...

2012-05-21

稀土 EV Molycorp

兼顧多國標準的光伏陣列保護熔斷器選型分析

為及時隔離故障光伏串，也為避免局部異常接線形成的過流危害，在光伏陣列設置直流光伏保險絲非常重要。如何才能正確選擇光伏保險絲呢？本文兼顧美國標準、北美標準和我國標準帶來詳細的光伏陣列保護用熔斷器的選擇分析。

2012-05-18

保護熔斷器光伏陣列熔斷器

君耀強效放電管選型指南

SPG強效應玻璃放電管是一種靠內部微間隙放電的一種保護器件，在電極微間隙之間充有穩定的惰性氣體，并采用玻璃殼和杜鎂絲頭在高溫下燒結密封而形成的。

2012-05-18

君耀強效放電管

大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護方案

隨著電力電子器件制造技術的發展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅動功率小、開關損耗低及工作頻率高等特點，而越來越多地應用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環節就是高性能的過流保護電...

2012-05-17

逆變器 IGBT 過流保護

STM32F0：ST推出基于Cortex-M0內核的超低成本及功耗32位MCU

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商、世界領先的微控制器供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大已取得巨大成功的經過市場檢驗的包含300多款產品的 STM32微控制器產品陣容，推出全新的STM32F0系列32位微控制器。新產品基于超低功耗的 ARM Cortex-M0處理器內核，整合增強的...

2012-05-16

STM32F0 STM32 32位微控制器 Cortex-M0 意法半導體

電力系統繼電保護干擾原因及其防護方法

繼電保護是電力系統最重要的二次系統。它對電力系統安全穩定地運行起著極為重要地作用。隨著近年來微機繼電保護的不斷投入，以往的檢驗標準已逐漸不適應系統的發展，因此。我們需要尋求更加完善的檢驗方法，只有系統、全面、準確地進行繼電保護檢驗。才能確保整個電力系統的安全。本文筆者根據多年...

2012-05-16

電力系統繼電保護

過流保護—電流保險絲選型原理

熔斷體是對電流敏感的元件，當故障電流超過熔斷額定值時，熔斷體會以自己的熔斷來保護整個電路的不受破壞，因此如何正確地選用熔斷體就顯得十分重要。

2012-05-15

過流保護—電流保險絲

美高森美推出用于線性照明燈具的超快速啟動LED驅動器

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)推出一款針對全球各地住宅、商業和工業照明燈具而優化的新型可調光LED驅動器模塊。

2012-05-14

美高森美超快速啟動 LED驅動器

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