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我國(guó)太陽能光伏裝機(jī)容量今年底有望增長(zhǎng)一倍
到今年底,中國(guó)的太陽能光伏裝機(jī)容量有望較去年同期增逾一倍。預(yù)計(jì)今年新增裝機(jī)容量可能會(huì)達(dá)到150兆瓦,風(fēng)電總裝機(jī)容量將提高至約1.5億千瓦,太陽能光伏的發(fā)展目標(biāo)為總裝機(jī)容量2,000萬千瓦。
2009-11-26
太陽能光伏 裝機(jī)容量 增長(zhǎng)
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GS湯淺將新建鋰電池工廠并“計(jì)劃2012年春季正式投產(chǎn)”
日本GS湯淺(GS Yuasa)宣布,將在滋賀縣栗東市建設(shè)鋰離子充電電池工廠。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開始交涉。該公司公關(guān)部介紹說,計(jì)劃2010年10月開工建設(shè),“2012年春季正式投產(chǎn)”。
2009-11-26
GS湯淺 鋰電池工廠 正式投產(chǎn) 2012
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三年后我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)全球最牛 將趕超美國(guó)
畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示:“中國(guó)作為終端用戶市場(chǎng),將變得越來越重要。”他表示,傳統(tǒng)上中國(guó)是制造業(yè)大國(guó),不是消費(fèi)大國(guó),但他預(yù)計(jì),三年后中國(guó)市場(chǎng)將高出美國(guó)市場(chǎng)近1倍。
2009-11-26
畢馬威 半導(dǎo)體市場(chǎng) 全球最牛 趕超美國(guó)
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群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過三合一合并方案
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱,該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開臨時(shí)董事會(huì),通過三合一合并案。三家公司預(yù)計(jì)明年元月6日召開股東臨時(shí)會(huì)通過合并案,三合一合并基準(zhǔn)日為明年4月30日。
2009-11-26
群創(chuàng) 奇美 統(tǒng)寶 合并方案
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IMEC開發(fā)的硅納米線太陽能電池使轉(zhuǎn)換效率達(dá)30%以上
在太陽能電池領(lǐng)域,瞄準(zhǔn)下下代太陽能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細(xì)線狀的硅(硅納米線)。包括美國(guó)通用電氣(General Electric)在內(nèi),目前世界各地都在進(jìn)行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽能電池 硅納米線 EUV曝光
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最先進(jìn)液晶面板線項(xiàng)目啟動(dòng) 投資逾200億
總投資達(dá)二百四十五億元的深圳市第八點(diǎn)五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線項(xiàng)目,十六日在深圳高交會(huì)上宣布正式啟動(dòng),標(biāo)志著中國(guó)主要依靠自主創(chuàng)新建設(shè)、中國(guó)內(nèi)地迄今最高世代液晶面板生產(chǎn)線項(xiàng)目落戶深圳。
2009-11-25
液晶面板線 最先進(jìn) TFT-LCD
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T,利用單一封裝解決方案,滿足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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中國(guó)電子報(bào):今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點(diǎn)
近日,企業(yè)第三季度財(cái)報(bào)紛紛出籠,產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)進(jìn)一步明朗化。但由于企業(yè)上升動(dòng)力不足,產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大,應(yīng)該會(huì)在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點(diǎn) 中國(guó)電子報(bào)
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Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍,推出增強(qiáng)型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻,在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω,容差為0.1%,10Ω電阻的容差...
2009-11-25
Vishay 擴(kuò)展 可靠性 貼片電阻 范圍
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