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估算電感在開關(guān)電源中的功耗
開關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現(xiàn)象 滲透深度
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功率MOSFET驅(qū)動器提供了車載照明保護(hù)與控制
高壓側(cè)前置場 FET 驅(qū)動器和功率 FET 組合被廣泛地用于負(fù)載控制，這種組合還可能被應(yīng)用于那些要求通過串行總線通信或者并行輸入控制來實現(xiàn)負(fù)載控制的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中。將每一個功率 FET 與熱相互作用隔離的這種能力，在那些單通道短路或者熱關(guān)閉故障不會中斷其它負(fù)載控制通道功能的情況下是非常有好...
2008-10-09
車載照明 FET 螺線管負(fù)載 浪涌電流
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電源對移動電話開關(guān)頻譜的影響
隨著移動電話市場的發(fā)展，移動電話已經(jīng)成為目前國內(nèi)電子制造業(yè)最大的熱點。移動電話是一個包含數(shù)字信號和模擬信號的復(fù)雜系統(tǒng)，在移動電話的設(shè)計調(diào)試和批量生產(chǎn)中，會碰到各種各樣技術(shù)問題。其中常見的問題之一是移動電話的開關(guān)頻譜不能滿足ETSI標(biāo)準(zhǔn)的要求。在實際工作中，發(fā)現(xiàn)移動電話使用的電源直...
2008-10-09
電源 移動電話 開關(guān)頻譜ETSI
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超級電容提高移動電話的音頻質(zhì)量和電源性能
超級電容填補(bǔ)了電池和普通電容之間的功率空隙，它能提供比電池更高的觸發(fā)功率，并能比普通電容存儲更多的能量。超級電容可以為峰值功率事件提供所需的觸發(fā)功率，然后接受電池的再充電。其好處包括延長通話時間、延長電池壽命、閃光更亮以及音樂質(zhì)量更佳。設(shè)計師還可以藉此節(jié)省空間和成本，因為他們...
2008-10-09
超級電容 失真 音樂手機(jī) 功率
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DC-DC變換器的輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性
目前，許多大型電子設(shè)備都趨向于采用直流分布式供電結(jié)構(gòu)，通過直流總線給多個DC-DC變換器進(jìn)行供電，而變換器的輸出則直接供給各個負(fù)載。但是，利用DC-DC變換器來構(gòu)建分布式供電系統(tǒng)有一些關(guān)鍵問題需要解決，如輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性問題。如果措施不當(dāng)，將損壞變換器甚至負(fù)載，造成巨大損失。
2008-10-09
分布式供電系統(tǒng) DC-DC變換器 輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性 ESR
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納米鋰電池技術(shù)剖析
可攜式電子產(chǎn)品對電池輕、薄、短、小與高容量的需求越來越高，而先進(jìn)的納米科技在此一趨勢下扮演了重要角色，採用納米材料的鋰電池技術(shù)可達(dá)到高容量、高功率、高安全性的效果，在未來的市場應(yīng)用上具備深厚潛力；本文將介紹目前納米級鋰電池材料與納米級鋰電池應(yīng)用之開發(fā)進(jìn)展現(xiàn)況，為讀者深入剖析此...
2008-10-09
納米科技 鋰電池 負(fù)極材料 3G
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采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器
MEMS振蕩器商用化的一個最大障礙是開發(fā)一種經(jīng)濟(jì)并足夠純凈的密閉封裝系統(tǒng)。本文展示了一種適用于MEMS振蕩器的制造工藝，以及一組可與傳統(tǒng)的石英晶體技術(shù)相媲美的測量數(shù)據(jù)。這些測量數(shù)據(jù)是目前為止得到的最穩(wěn)定的MEMS振蕩器數(shù)據(jù)。
2008-10-09
純凈 振蕩 頻率 穩(wěn)定
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。
2008-10-09
MOSFET DirectFET VRM 整流器
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MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制
大氣壓力傳感器在工業(yè)生產(chǎn)、氣象預(yù)報、氣候分析、環(huán)境監(jiān)測、航空航天等方面發(fā)揮著不可替代的作用。本文研制了一種高性能、低成本的微型電容氣象壓力傳感器，整個流程工藝簡單標(biāo)準(zhǔn)，薄膜材料選擇單晶硅，采用接觸式結(jié)構(gòu)，利用陽極鍵合形成真空腔，最后由KOH各向異性腐蝕和深刻蝕形成硅薄膜并由試驗結(jié)...
2008-10-09
電容式壓力傳感器 敏感薄膜 KOH腐蝕
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