【導讀】霍爾傳感器以無觸點，體積小，結構簡單等優(yōu)點，在電測、自動控制和計算裝置等方面得到了廣泛應用。由于霍爾傳感器產生誤差的原因多，目前雖然采取了各種補償措施，但僅用一種補償電路很難有效地對各種誤差進行補償。為此，本文設計了一種電路，不用補償電路就能有效地對各種誤差進行補償。
霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應制作的一種磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種，這一現(xiàn)象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件，廣泛地應用于工業(yè)自動化技術、檢測技術及信息處理等方面?；魻栃茄芯堪雽w材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。
主要誤差及產生原因
1．零位誤差
零位誤差是由不等位電勢所造成的。產生不等位電勢的主要原因是：2個霍爾電極沒有安裝在同一等位面上；材料不均勻造成電阻分布不均勻，控制電極接觸不良，造成電流分布不均勻等。
2．寄生直流電勢誤差
產生寄生直流電勢的主要原因是：控制極與霍爾極元件接觸不良，形成非歐姆接觸；2個霍爾電極大小不對稱，使2個電極的熱容量不同，散熱狀態(tài)不同，兩極間出現(xiàn)溫差電勢，使霍爾元件產生溫漂所致。
3．感應零位電勢誤差
霍爾元件在交流或脈動磁場中工作時，即使不加控制電流，由于霍爾極分布不對稱，霍爾端也有一定輸出，其大小正比于磁場的脈動頻率、磁感應強度的幅值和兩霍爾電極引線構成的感應面積。
4．自勵磁場零位電勢誤差
當霍爾元件通以控制電流時，此電流也會產生磁場，稱自勵磁場。當電極引線不對稱時，元件兩邊磁感應強度不相等，將有自勵場的零位電勢輸出。
5．溫度誤差
目前，為了消除以上誤差，除在工藝上注意外，一般都采用電阻補償電路進行補償，但在較精密的測量中效果仍不理想。
消除各種誤差的方法
所取的電位經運放A4組成的電壓跟隨器驅動電纜的屏蔽層，這樣就較好地抑制了交流共模電壓的干擾。圖3所示的電路，適用于各種傳感器電路。
霍爾傳感器使用中的注意事項
（1）為了得到較好的動態(tài)特性和靈敏度，必須注意原邊線圈和副邊線圈的耦合，要耦合得好，最好用單根導線且導線完全填滿霍爾傳感器模塊孔徑。
（2）使用中當大的直流電流流過傳感器原邊線圈，且次級電路沒有接通電源或副邊開路，則其磁路被磁化，而產生剩磁，影響測量精度（故使用時要先接通電源和測量端M），發(fā)生這種情況時，要先進行退磁處理。其方法是次邊電路不加電源，而在原邊線圈中通一同樣等級大小的交流電流并逐漸減小其值。
（3）在大多數(shù)場合，霍爾傳感器都具有很強的抗外磁場干擾能力，一般在距離模塊5-10cm之間存在一個兩倍于工作電流Ip的電流所產生的磁場干擾是可以忽略的，但當有更強的磁場干擾時，要采取適當?shù)拇胧﹣斫鉀Q。通常方法有：
① 調整模塊方向，使外磁場對模塊的影響最小
② 在模塊上加罩一個抗磁場的金屬屏蔽罩
③ 選用帶雙霍爾元件或多霍爾元件的模塊。
（4）測量的最佳精度是在額定值下得到的，當被測電流遠低于額定值時，要獲得最佳精度，原邊可使用多匝，即：IpNp=額定安匝數(shù)。另外，原邊饋線溫度不應超過８０℃。
霍爾傳感器的特點（與普通互感器比較）
1、 霍爾傳感器可以測量任意波形的電流和電壓，如：直流、交流、脈沖波形等，甚至對瞬態(tài)峰值的測量。副邊電流忠實地反應原邊電流的波形。而普通互感器則是無法與其比擬的，它一般只適用于測量50Hz正弦波。
2、 原邊電路與副邊電路之間完全電絕緣，絕緣電壓一般為2KV至12KV，特殊要求可達20KV至50KV。
3、 精度高：在工作溫度區(qū)內精度優(yōu)于1%，該精度適合于任何波形的測量。而普通互感器一般精度為3%至5%且適合50Hz正弦波形。
4、 線性度好：優(yōu)于0.1%
5、 動態(tài)性能好：響應時間小于１μs跟蹤速度di/dt高于50A/μs
6、 霍爾傳感器模塊這種優(yōu)異的動態(tài)性能為提高現(xiàn)代控制系統(tǒng)的性能提供了關鍵的基礎。與此相比普通的互感器響應時間為10-12ms，它已不能適應工作控制系統(tǒng)發(fā)展的需要。
7、 工作頻帶寬：在0-100kHz頻率范圍內精度為１％。在０－５kHz頻率范圍內精度為0.5%。
8、 測量范圍：霍爾傳感器模塊為系統(tǒng)產品，電流測量可達50KA，電壓測量可達6400V。
9、 過載能力強：當原邊電流超負荷，模塊達到飽和，可自動保護，即使過載電流是額定值的２０倍時，模塊也不會損壞。
10、 模塊尺寸小，重量輕，易于安裝，它在系統(tǒng)中不會帶來任何損失。
11、 模塊的初級與次級之間的“電容”是很弱的，在很多應用中，共模電壓的各種影響通?？梢院雎裕斶_到幾千伏/μs的高壓變化時，模塊有自身屏蔽作用。
12、 模塊的高靈敏度，使之能夠區(qū)分在“高分量”上的弱信號，例如：在幾百安的直流分量上區(qū)分出幾毫安的交流分量。
13、 可靠性高：失效率：λ=0.43╳10-6/小時
14、 抗外磁場干擾能力強：在距模塊5-10cm處有一個兩倍于工作電流（2Ip）的電流所產生的磁場干擾而引起的誤差小于0.5%，這對大多數(shù)應用，抗外磁場干擾是足夠的，但對很強磁場的干擾要采取適當?shù)拇胧?/div>
