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MEMS機(jī)油壓力傳感器可靠性研究
本文選用MEMS壓力芯片開發(fā)出汽車發(fā)動機(jī)機(jī)油壓力傳感器，研究了機(jī)油壓力傳感器的封裝工藝和可靠性，并對傳感器的封裝及組裝過程進(jìn)行了系統(tǒng)的分析和測試，且通過工藝優(yōu)化極大地提高了傳感器的可靠性能。
2008-10-15
MEMS 機(jī)油壓力傳感器 可靠性
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被動元器件技術(shù)與市場發(fā)展論壇隆重召開
10月13日，“第三屆國際被動元件技術(shù)與市場發(fā)展論壇PCF2008”在深圳大中華喜來登酒店隆重開幕。村田、威世、TDK、太陽誘電、順絡(luò)等國內(nèi)外被動元器件代表企業(yè)參與了本次大會，來自電子行業(yè)的近四百名技術(shù)人員與各業(yè)界資深專家一起探討被動元件行業(yè)技術(shù)動向和市場趨勢。
2008-10-14
被動元件技術(shù) 無源電子元件 電阻 電感 磁珠 LTCC
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單電源運(yùn)算放大器的偏置與去耦電路設(shè)計(jì)
目前在許多手持設(shè)備、汽車以及計(jì)算機(jī)等設(shè)備只用單電源供電，但是單電源容易出現(xiàn)不穩(wěn)定問題，因此需要在電路外圍增加輔助器件以提高穩(wěn)定性。在這樣的電路中有一些嚴(yán)重的局限性。 本文介紹單電源運(yùn)算放大器的偏置與去耦電路設(shè)計(jì)的方法解決這些問題。
2008-10-14
偏置電路 旁路信號 SGM8541 去耦電路
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PA-Cap○R聚合物片式疊層鋁電解電容器的特點(diǎn)及其應(yīng)用
新型電容器——PA-Cap聚合物片式疊層鋁電解電容器，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到或接近國際先進(jìn)水平，具有超越現(xiàn)有液體鋁電解電容器和固體鉭電解電容器的卓越電性能；穩(wěn)定的頻率特性和溫度特性，寬溫長壽命高可靠性。廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、平板顯示器、移動DVD、通訊電源、汽車電子、儀器儀表等高端數(shù)字化電子中。
2008-10-14
固體電解電容器 DC/DC轉(zhuǎn)換器 濾波 PA-Cap
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使用雙極晶體管進(jìn)行鋰離子電池充電
隨著便攜式手持設(shè)備(如手機(jī)、PDA等)的功能不斷增加，加上對較小體積與更長電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設(shè)備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點(diǎn)討論主要離散參數(shù)與選擇標(biāo)準(zhǔn)。
2008-10-14
雙極晶體管 鋰電池 USB Zetex
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汽車電子組件：一個正在發(fā)展的市場
汽車中出現(xiàn)的電子設(shè)備和系統(tǒng)越來越多，而它們也是汽車功能創(chuàng)新的驅(qū)動力。汽車廠商正在越來越多地使用電子系統(tǒng)和半導(dǎo)體集成電路用于汽車的各種應(yīng)用，包括駕駛員信息和通信、車內(nèi)娛樂電子設(shè)備、傳動系和身體控制電子設(shè)備以及汽車安全和舒適設(shè)備。
2008-10-13
汽車電子
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LED外延芯片滯后 產(chǎn)業(yè)化規(guī)模尚未形成
據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)分析，2004~2007年，中國大陸LED出口逐年上升，出口量從2004年的122億只，增長到2007年的312億只，年復(fù)合增長率達(dá)36.7%；出口額從2004年的5.9億元，增長到2007年的20.3億元，年復(fù)合增長率達(dá)51.0%。2008年上半年，已出口LED257億只，出口金額達(dá)12.7億美元。預(yù)計(jì)2008年全年可實(shí)現(xiàn)出口量...
2008-10-13
LED
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我國將采取多項(xiàng)措施推進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
國家發(fā)展和改革委員會副主任張曉強(qiáng)12日說，為促進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，中國今后將進(jìn)一步優(yōu)化高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的環(huán)境，進(jìn)一步發(fā)揮政府的引導(dǎo)和推動作用、突出企業(yè)的主體地位，積極支持創(chuàng)新型企業(yè)實(shí)施高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重大項(xiàng)目。
2008-10-13
高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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