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    堆疊式LED結構實現緊湊型多通道光學耦合器

    發布時間:2009-07-21 來源:中國通信網

    中心議題:
    • 光學耦合器集成封裝技術
    • 堆疊式LED的優勢
    解決方案:
    • 背面發光LED的開發
    • LED直接堆疊在光電探測器IC
    • 使用透明的硅樹脂覆蓋LED和IC
    現代光學耦合器的核心是輸入端的LED和輸出端的光電探測器.它們被絕緣的光傳導介質隔開。光電探測器可以是光電晶體管,可以是帶有晶體管的光電二極管,也可以是集成式檢測器/邏輯集成電路。
      
    大多數光學耦合器都經過UL1577、CSA和IEC/DINEN/EN60747-5-2列明的基本安全標準認證。
      
    在某些情況下,人們特別希望提高一個封裝中的光學耦合器數量,以優化生產成本,節約電路板空間。例如,在計算機系統中,在一個封裝中集成兩條以上的光學耦合器通道,可以明顯降低并行接口和串行接口的部件數量和電路板空間,如RS232/485/422、SPI(串行外設接口)和集成電路之間(I2C)總線。

    多通道光學耦合器在工業控制、測試測量、PLC(程控邏輯控制器)醫療系統、Fieldbus接口和數據采集中;在POE(通過以太網供電)和聯網電路板等通信應用中;在等離子平板顯示器和其它消費家電中都提供了同樣的優勢。
      
    以前把兩個以上的光學耦合器集成到一個DIP/表面封裝的澆鑄封裝中是一個很大的挑戰。主要問題來自已有的封裝工藝及LED方塊的正面發光特點。
      
    部分困難包括:
    • 制造工藝增加,工藝復雜程度增加;
    • 光學耦合器通道之間的光泄漏/串擾;
    • 由于隔離材料放置困難而導致IC芯片數量提高的相關問題;
    • 由于要求的引線框和封裝圖形,需要明顯大得多的封裝。
      
    光學耦合器制造技術

    光學耦合器的工作基礎是LED發出的光通過透明的絕緣介質到光電探測器,這種介質提供2.5kV-6kV范圍的高壓絕緣。光耦合程度取決于光導材料。絕緣將通過光導材料本身或通過額外的光傳導介電材料實現。在任何情況下,LED的排列、光導材料、介電材料和IC都會直接影響光耦合和高壓絕緣的性能。

    一般來說,光學耦合器封裝與傳統集成電路封裝類似,但它采用獨特的工藝步驟和必要的材料,以形成光導,滿足高壓絕緣要求。下表列明了各種澆鑄光學耦合器的制造方法,介紹了獨特的材料、工藝和限制。

    雙澆鑄工藝
                                         
                                                          圖1澆鑄光學耦合器封裝使用的雙澆鑄工藝
                                        
                                              圖2澆鑄光學耦合器封裝使用的介電材料放置工藝

    在單通道光學耦合器的雙澆鑄工藝中,LED和IC通過模具連接到兩個不同的引線框和焊接線上。然后使用焊接把兩個引線框組合在一起。在引線框焊接完畢后,LED直接面向IC,LED位于IC上方。

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    然后,組合好的引線框使用白色光傳導化合物進行澆鑄,構成光導裝置,把光從LED傳送到IC光電檢測器上。白色化合物還提供了高壓絕緣功能。最后,得到的組件使用不透明的化合物澆鑄,構成最終的封裝輪廓。
      
    介電材料放置工藝
      
    在介電放置工藝中,LED和IC的排列與雙澆鑄工藝相同。但它不使用白色化合物,而是在LED和IC之間使用硅樹脂,形成光導裝置。此外,它在LED和IC之間放一個光傳導介電裝置,形成高壓絕緣。最后,器件使用不透明的澆鑄化合物澆鑄。

                                             
                                                      圖3澆鑄光學耦合器封裝使用的平面工藝
    平面工藝
      
    在平面工藝中,LED和IC位于與引線框和焊接線相同的平面中。然后使用一層透明的硅樹脂,以近似圓屋頂形覆蓋LED和IC。硅樹脂提供了光導能力。為防止光逸出,在透明硅樹脂上使用了另一層白漆。因此,來自LED的光會在圓屋頂內部反射到IC上。最后,器件使用不透明的澆鑄化合物封裝。
      
    堆疊式LED技術
      
    圖4是光學耦合器的橫截面圖,其中LED直接堆疊在光電探測器IC上。這種堆疊式LED方法的主要實現技術是背面發光LED的開發。
                                   
                           圖4光學耦合器的橫截面圖,其中LED直接堆疊在光電檢測器IC的上面
      
    光電二極管芯片采用兩個透明的層:SiO2鈍化/絕緣和光傳導聚酰亞胺。LED使用透明的連接層穩固地連接到光電二極管上。IC使用銀環氧樹脂,通過模具連接到引線框上。介電材料使用光傳導環氧樹脂連接到IC上。LED模具使用光傳導環氧樹脂連接到介電材料上。最后,組件使用焊接線和澆鑄。它使用標準模具連接工藝,完成所有放置,封裝在單次不透明澆鑄化合物中完成澆鑄。

    堆疊式LED的優勢
      
    集成度高:通過采用傳統IC組件設備,堆疊式LED技術大大增強了封裝功能和靈活性。從本質上看,發射機-檢測器芯片組可以插入任何要求的集成式封裝中。
      
    減少流程步驟:該方法減少了流程步驟,因此是一種更加高效的制造方法。
      
    輕薄、小型封裝:總封裝高度現在單純取決于IC、LED、超薄聚酰亞胺和LED焊接線高度的厚度組合。
      
    圖5比較了各種制造工藝得到的封裝高度。
                           
    背面發光LED

                                
                            圖6傳統吸收基底正面發光LED與透明基底背面發光LED的橫截面
      
    對背面發光的LED,其激活層在透明基底上生長,摻雜程度取決于所要求的發射光波長。發光區域在晶片制造工藝中確定,基底在器件上保持不變。
      
    AvagoTechnologies(安華高科技)已經在一系列新的多通道和雙向15MBd數字邏輯門光學耦合器中采用堆疊式LED結構。該系列分成緊湊的8針(雙通道為4.9mmx5.9mmx1.7mm)和16針(三通道和四通道為9.9mmx5.9mmx1.7mm)薄型小型集成電路(SOIC)封裝,包括雙通道、三通道和四通道三種型號。
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