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    網友探討:一種較理想的吸收電路

    發布時間:2015-08-26 責任編輯:sherry

    【導讀】本文介紹的是一種較理想的吸收電路,該電路更簡潔,如果采用集成IC,吸收電路這個地方無需任何附件。兼容輕重負載,具有TVS管的優點輕載時效率也高。
     
    在硬開關電路中變壓器中的漏感是一個不利的因素,電源工作時漏感上儲存的能量不能傳遞到次級只能在初級被吸收掉(損耗掉)。最簡單的吸收電路是RCD吸收電路如圖1。
     RCD吸收電路
     圖1 RCD吸收電路
     
    RCD吸收電路是按照滿載狀態來設計要能夠吸收掉滿載時候的漏感能量,當輕載的時候漏感的能量比較小但RCD電路參數已經固定了此時的參數相對于此時的工作狀態不是最佳導致損耗增加效率降低。
     
    比較理想的是用一個可變電阻替代吸收電路根據負載狀態自動的調節阻值滿足輕重載時的不同需求,這在實際應用中是用的TVS管替代RCD中的R和C。
    TVS吸收電路
     圖2 TVS吸收電路
     
    TVS管吸收缺點是成本高了些。
     
    一種能達到TVS管同樣效果而又低成本的方法如下圖3。
     低成本MOS管吸收
    圖3 低成本MOS管吸收
     
    這里也用到了一個TVS管,這個TVS管是信號級的工作原理是當開關管的漏極電壓超過了TVS管的擊穿電壓后TVS管導通并對MOS開關管的柵極充電,MOS管進入線性工作區拉低漏極電壓。當漏極電壓低壓TVS管擊穿電壓時TVS管關閉,電路恢復正常。這里是將漏感的能量消耗在MOS管上,在設計MOS管功耗散熱時需要把這部分損耗考慮進去。電路只用了一個信號級的TVS管成本上很有優勢。
     
    圖3這個電路對TVS管的性能和驅動電阻選值有要求,是否可行還需驗證。還有一種不需TVS管的方法如圖4。
    線性穩壓MOS吸收
    圖4 線性穩壓MOS吸收
     
    圖4的原理同圖3是一樣的實現的可行性更高些,當PWM開的時候綠色通道為高電平MOS管導通Vds為低電平運放輸出零,紅色通道不影響電路。當PWM關時綠色通道為零電平,Vds電壓升高當高于參考電壓Vref時運放輸出模擬電壓,這個模擬電壓驅動MOS管線性打開直到Vds低于參考電壓Vref。單看運放、紅色通道、開關管這個環路其實就是一個基本的線性穩壓電路。如果將運放和加法器集成到控制IC中或者采用其它控制方法,成本應當是可以接受。
     
    總結一下這種方法優點,電路更簡潔,如果采用集成IC,吸收電路這個地方無需任何附件。兼容輕重負載,具有TVS管的優點輕載時效率也高。省掉一個發熱元件,吸收的能量都通過MOS管消耗掉,公用MOS管上的一個散熱片。可以提高低壓輸入時的效率。還有就是成本低。
    [page]
    下面的是對圖4做的仿真
    線性穩壓MOS吸收波形
    圖5 線性穩壓MOS吸收波形
     
    圖5中MOS管的源漏電壓V_ds有一個很窄的尖峰,原因大概是穩壓環路跟不上電壓V_ds的變化速度。試過將柵極電壓下降沿調緩(減緩V_ds的上升速度)可以抑制住V_ds的窄尖峰不過會增加功耗影響效率。
     
    為了消掉這個窄尖峰又把RCD電路加了上去,這個窄尖峰能量不多只需小功率的RCD吸收即可,下圖是只加RCD電路無線性穩壓吸收的波形圖
    只有小功率RCD吸收電路的波形
     圖6 只有小功率RCD吸收電路的波形
     
    因為RCD吸收功率小不足以吸收掉漏感的能量所以MOS管的漏極電壓升的很高。同樣這個RCD吸收電路再增加線性穩壓吸收后的波形如圖7
    加入小功率RCD的線性穩壓吸收波形
    圖7 加入小功率RCD的線性穩壓吸收波形
     
    線性穩壓吸收的基準設置的是550V圖中的MOS管電壓也被限制在550V,圖中的柵極電壓紅圈處可見MOS管在此區間工作于線性區因MOS管電壓被鉗位在550V所以此區間主要吸收的是漏感能量。
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