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    干熱和偏濕度測試與應(yīng)用期間元件的穩(wěn)定性預(yù)測

    發(fā)布時間:2017-07-31 責(zé)任編輯:susan

    【導(dǎo)讀】模擬技術(shù)要求元件的電性能達到一定精度和使用期間可能出現(xiàn)的變化的良好預(yù)測。本文介紹一種用于預(yù)測元件老化引起的電參數(shù)變化的方法。

    電子模擬應(yīng)用的工藝質(zhì)量和可靠性主要取決于所用電子元件的四個參數(shù)或性能:
     
    ·電參數(shù)的穩(wěn)定性及特征,亦即沒有由于老化或退化而引起的不可逆漂移;
    ·低而穩(wěn)定的溫度系數(shù)(TC),亦即在應(yīng)用溫度范圍內(nèi)的低可逆漂移;
    ·穩(wěn)定和低水平的噪聲;
    ·穩(wěn)定和低水平的非線性度。
     
    元件使用期間主要電性能(如電阻器的阻值)的漂移可能引起其他重要性能(如噪聲、TCR、非線性度)的變化或漂移。高溫高濕環(huán)境條件對許多電子元件的可靠性依然是個挑戰(zhàn)。更好的理解其老化和退化加速的因素。
     
    薄膜電阻器在電子行業(yè)使用廣泛,我們的研究選用它們作為以下元件設(shè)計的良好普遍代表:在基礎(chǔ)材料之上由有機涂層防止其老化或退化。這是許多被動和主動電子元件的基本設(shè)計。有關(guān)薄膜電阻器在干熱和偏濕度環(huán)境中的行為的長期研究已成為一種新開發(fā)的通用模型的基礎(chǔ),該模型涵蓋整個溫度-濕度-時間域中的所有老化條件、系統(tǒng)特征鑒定以及元件健康預(yù)測(具有退化功能層的噴漆或模制元件)。
     
    研究結(jié)果在 2014 年的 CARTS(電容器和電阻器技術(shù)會議)和 AEC-RW(汽車電子協(xié)會可靠性研討會)上報告,并在同行評審論文中公布 [1]。
     
    針對強化研究的測試方案
     
    我們的測試計劃考慮了以下幾點:
    •使用靈敏的薄膜電阻器值(同一批,直至在所有被測變體上進行激光微調(diào));
    •偏壓濕度 85 °C / 85 % RH 測試與 40 °C / 93 % RH 測試結(jié)果比較;
    •引入新的中間測試條件:70 °C / 90 % RH 和 90 °C / 40 % RH;
    •測試或暴露時間延長至 4000 小時(10000 小時);
    •使用兩種不同的電絕緣漆變體;
    •在每種變體上施加兩個電壓/荷載(來源于額定電壓的 10 % 和 30 %);
    •比較偏濕度測試與 HAST 130(高度加速應(yīng)力測試:這里偏濕度測試條件為130 °C 和 85 % RH,相同批次和電氣條件)結(jié)果。
     
    結(jié)果和結(jié)論
     
    偏濕度對許多元件具有破壞性(具體取決于相對濕度和溫度)已是共識。本研究第一個令人感興趣的發(fā)現(xiàn)是,我們必須徹底區(qū)分氧化/鈍化效應(yīng)與腐蝕機制。由此顯現(xiàn)出兩種不同退化機制:老化(呈指數(shù)飽和  40°C / 93 % RH,70°C / 90 % RH)和破壞性(呈指數(shù)增加  85°C / 85 % RH)腐蝕條件。
     
    圖 1:測試結(jié)果(40°C / 93 % RH、70°C / 90 % RH 和 85°C / 85 % RH)
     
    圖 1 顯示了暴露 4000 小時后的漂移特征。即使在漂移低至 ΔR/R < 0.5 % 時,差異也很明顯。為了能夠比較各種特征,我們提出了按照相等暴露時間對 R 漂移進行標(biāo)準(zhǔn)化的做法。例如,如果將該標(biāo)準(zhǔn)化漂移設(shè)置在雖然低但仍然顯著的 ΔR/R = 0.2 % 水平,則可估計為幾乎沒有破壞性。利用這種方法,現(xiàn)在有可能直接比較所有偏濕度測試數(shù)據(jù)(包括 HAST 130 結(jié)果等)。
     
    影響元件退化/老化的參數(shù)
     
    我們明顯看到溫度和濕度濃度是促使漂移或元件功能層老化/退化的參數(shù)。因此,我們的第二個建議是使用實際蒸汽壓力 pvapor 代替相對濕度 RH。
     
    電元件通常是在芯材上包裹靈敏的功能性金屬制成,通過絕緣體、漆和模件加以保護。如圖 2 所示,我們薄膜電阻器具有采用鋁的基礎(chǔ)或芯材料,基于鎳鉻合金的 R 層,并包裹一層電絕緣漆。在給定環(huán)境條件下,漆層界面與外界之間存在壓力差 Δp。
     
    圖 2:蒸汽壓力導(dǎo)致水分?jǐn)U散現(xiàn)象
     
    壓力的均衡趨向?qū)е滤窒蚱峄蛴袡C涂層擴散。由于壓力擴散效應(yīng),交界區(qū)域的水濃度將會增加。在有水情況下,高溫和偏壓下會促進氧化,并造成包鍍金屬的電化學(xué)腐蝕。在熱和偏壓條件下,更高的溫度將導(dǎo)致更大的破壞危險。
     
    建立模型
     
    如 [1] 中詳細所示,我們可從教科書公式推出和調(diào)整水向涂層的擴散結(jié)果。電子元件中的壓力擴散系統(tǒng)可通過一個相當(dāng)簡單的公式描述:
     
    圖 3:一般公式
     
    這個一般描述可解釋為直線函數(shù) y = ax + b,其中 y 代表暴露時間 texp 的 ln√,x 代表 1/T(= 絕對溫度 T [開爾文] 的倒數(shù)),如圖 3 所示。
     
    系數(shù)“a”允許直接讀取和計算元件功能層的活化能 EA,常數(shù)“b”是其涂層的擴散性能(D:擴散系數(shù),單位 µm2/h;xlacq:有機涂層厚度,單位 µm;k:玻爾茲曼常數(shù) = 8.62 x 10-5 eV/K)。
     
    由于標(biāo)準(zhǔn)化的暴露時間 ln√texp 是溫度倒數(shù) 1/T 的直接函數(shù),所以可用一個圖表,亦即用 ln√t – 1/T 圖描述和總結(jié)元件在整個溫度-濕度-時間域中的性能和健康預(yù)測,以及其系統(tǒng)特征鑒定:
     
    圖 4 顯示了采用“漆 1”涂層的高阻值薄膜電阻器(MELF MMA0204,180 kΩ)的性能。
     
    圖 4:薄膜電阻器的 ln√t – 1/T 圖
     
    這個例子說明,texp > 30 年的暴露時間和 ΔR/R < 0.2 % 的阻值漂移在任何實際相對濕度和 < 100 °C 的環(huán)境溫度條件下都是可能的,對這種非常可靠的電阻器類型沒有任何問題(取決于功能性薄膜層的活化能和“漆1”涂層的擴散性能)。
     
    實際應(yīng)用
     
    當(dāng) ln√t – 1/T 圖適用時,確定電子元件的可靠性和健康預(yù)測變得容易和經(jīng)濟。
     
    此外,如圖 5 所示,對于所有實際應(yīng)用,在定義元件在整個相關(guān)溫度-濕度-時間域上的材料性能(漆/模件或功能層的活化能、擴散系數(shù)、加速因子等)的漂移和退化(健康預(yù)測)時只需要五個可靠的相關(guān)測量點。
     
    圖 5:五個測量點
     
    要點:
     
    •開發(fā)和定義針對電子元件的一般(偏壓)濕度加速和長期預(yù)測模型,研究在靈敏薄膜電阻器上進行。
    •該模型綜合了溫度和濕度對退化的影響。在整個溫度-濕度-時間域中的預(yù)測因此成為可能。
    •所定義的 ln√t – 1/T 圖包含所有信息,并可用于計算關(guān)于模件/漆以及關(guān)于所研究功能層的所有相關(guān)材料數(shù)據(jù)(活化能、濕度相關(guān)材料性能、偏壓加速效應(yīng)等)。
    •老化/氧化與腐蝕之間的差異。通過使用標(biāo)準(zhǔn)化的暴露時間代替參數(shù)漂移測量結(jié)果消除這些有沖突現(xiàn)象的不一致性。
    •用實際蒸汽壓力代替(通常使用的)相對濕度 RH 作為明確的物理數(shù)據(jù)。
    •確定電絕緣漆或模件各自的擴散性質(zhì),作為元件參數(shù)因溫度和濕度影響而退化的主關(guān)鍵詞。
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