-
運算放大器參數的簡易測量“指南”
運算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器,常用于高精度模擬電路,因此必須精確測量其性能。但在開環測量中,其開環增益可能高達107或更高,而拾取、雜散電流或塞貝克(熱電偶)效應可能會在放大器輸入端產生非常小的電壓,這樣誤差將難以避免。
2024-12-20
運算放大器 測量
-
借助熱插拔控制器,確保系統持續穩定運行
在電子產品中,在不中斷系統運行的情況下安全地插入和拔出電源模塊的能力至關重要。眾所周知,熱插拔1已成為從數據中心到電信系統等許多應用的基本功能。為了確保系統在這些操作期間的安全性和完整性,需要專門的控制器。ADI公司的LTC4287在這類產品中具有明顯優勢。本文深入探討了這款熱插拔控制器...
2024-12-16
熱插拔 控制器
-
探究電路里0.1uF和0.01uF電容的共存之謎
旁路電容(Bypass Capacitor)和去耦電容(Decoupling Capacitor)這兩個概念在電路中是常見的,但是真正理解起來并不容易。
2024-12-16
電路 電容
-
為何混合型交流浪涌保護器是浪涌保護首選?
現在的電子設備無處不在且發展迅速,其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護,因為它們要接入電力基礎設施,而這些基礎設施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態保護功能。這些瞬態事件可能是由雷擊、開關動作或類似的電壓浪涌事件造成的結果,會導致過電壓和過電流事件,進而損壞敏感電子設備...
2024-12-16
交流浪涌保護器 浪涌保護
-
對比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設計分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優點和缺點有很多,而且經常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能(隨溫度變化)和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路:使用四路運算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-13
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
-
無輔助繞組 GaN 反激式轉換器如何解決交流/直流適配器設計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉換器,通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器,幫助擴大 USB Type-C? 接口的市場規模。
2024-12-13
無輔助繞組 GaN 反激式轉換器 交流/直流適配器
-
如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓,并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化,但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去,IC 設計對 ESD 更加穩健,并且可以處理更高的電壓,因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要...
2024-12-12
ESD 保護二極管
-
第11講:三菱電機工業SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品,本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-12
三菱電機 工業 SiC 芯片技術
-
用4200A和矩陣開關搭建自動智能的可靠性評估平臺
在現代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導的退化是一個重要的與可靠性相關的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數載流子到達漏極時,熱載流子(動能非常高的載流子)由于原子能級碰撞的沖擊電離,可以在漏極附近產生電子—空穴對。
2024-12-12
矩陣開關 熱載流子
- 避開繁瑣!運放差分電容測量簡化指南
- 精準捕捉電流波形:開關電源電感電流測量技術詳解
- 恒壓變壓器選型指南:如何平衡成本與性能?
- 電能控制的中樞神經:控制變壓器深度解析
- 物聯網互聯新選擇:1-Wire總線技術詳解與實戰指南
- 安森美獲Vcore技術授權,強化AI數據中心電源解決方案
- 如何利用OTT技術實現模擬前端的80V過壓保護
- 貿澤電子新推EIT專題:洞察3D打印如何重塑設計與制造
- 聚焦能效與性能,Vishay為AI及電動汽車注入“芯”動力
- 2025中國IC獨角獸論壇滬上啟幕,賦能半導體產業新未來
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall