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IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
本文主要通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護(hù)方法等討論，介紹了的一種可驅(qū)動高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用。
2010-11-03
IGBT 高壓 大功率驅(qū)動 保護(hù)電路
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汽車電子保護(hù)電路設(shè)計
車環(huán)境對電子產(chǎn)品而言是非常苛刻的：任何連接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對的問題包括負(fù)載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。
2010-11-02
汽車電子 保護(hù)電路 無源保護(hù)電路 敏感電路
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鋰電池保護(hù)IC測試電路的設(shè)計
目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了專用的鋰電池保護(hù)板測試儀，但價格普遍偏高，并且測試時必須先將IC焊接在電路板上。因此，本文中設(shè)計了一個簡單的測試電路，借助普通的電子儀器就可以完成對鋰電池保護(hù)IC的測試。
2010-11-01
鋰電池 保護(hù)IC 測試電路
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飛兆開發(fā)出頂部冷卻的Dual Cool封裝用于MOSFET器件
為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司 (FaIRchild SemicONductor) 開發(fā)出用于MOSFET 器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。
2010-11-01
Dual Cool封裝 MOSFET器件 PQFN器件 飛兆半導(dǎo)體
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UMZ 250：SCHURTER擴(kuò)大SMD保險絲額定電流范圍適用于電路保護(hù)
SCHURTER擴(kuò)大了250 VAC、IEC時間滯后小型SMD保險絲UMZ 250的額定電流。這款帶有接線柱的SMD保險絲現(xiàn)在可有從80 mA到4 A的18種不同額定電流。這是范圍從0.08A 到0.25A的6種額定電流選擇的一種擴(kuò)展。
2010-10-28
UMZ 250 SMD保險絲 SCHURTER 電路保護(hù)
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泰科電子推出表面貼裝PolySwitch器件針對汽車電子產(chǎn)品小型化趨勢
泰科電子（Tyco Electronics）近天宣布其PolySwitch系列中nanoASMD、microASMD、miniASMD、ASMD和AHS表面貼裝產(chǎn)品 (SMD)已經(jīng)通過認(rèn)證，可以幫助汽車制造商達(dá)到行業(yè)安全和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，同時降低了系統(tǒng)成本和提高了電子設(shè)計的效率和可靠性。這些汽車等級 PolySwitch器件已經(jīng)通過汽車行業(yè)AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)對...
2010-10-28
泰科 PolySwitch 汽車電子 小型化
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靜電對家電制造的影響以及設(shè)計預(yù)防
現(xiàn)在，靜電已成了人們的親密“伴侶”，對這種放電現(xiàn)象已經(jīng)習(xí)慣，盡管它有時給人們帶來不適，但這一切對人體來說并沒有產(chǎn)生什么直接的危害。但對于電子設(shè)備而言卻不同了，半導(dǎo)體器件的高密度、高增益對靜電放電越來越敏感，MOS 電路的擊穿僅為100 V，而新的器件僅為30 V 左右。靜電放電(ESD)的危害性及...
2010-10-28
靜電防護(hù) RC電路 單二極管電路 RCD電路
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信息化設(shè)備的防雷技術(shù)
闡述了雷擊電磁脈沖(LEMP)對信息設(shè)備的危害。以計算及實例說明LEMP的危害與雷擊點的距離成反比。雷擊概Ⅳ與雷擊點高度h的平方成正比。Ⅳ 越高，LEMP的危害就越大。LEMP是信息防雷的重點，應(yīng)采取屏蔽接地技術(shù)。有效防止LEMP的入侵，完善信息防雷保護(hù)，提高抗LEMP的能力。
2010-10-27
雷擊電磁脈沖 常規(guī)防雷信息防雷 雷擊概率 直擊雷保護(hù) 電子信息系統(tǒng)屏蔽接地技術(shù)
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IC及系統(tǒng)級保護(hù)功能
TOPSwitch-HX(U1)集成了用戶自定義保護(hù)功能，可在輸入欠壓、過壓及輸出過載條件下避免電源及負(fù)載受損。熱關(guān)斷功能具有自動恢復(fù)特性，自動重啟動功能可防止輸出短路和反饋開環(huán)。這些保護(hù)功能的實現(xiàn)方式將在下面介紹。
2010-10-27
IC 系統(tǒng)級保護(hù)
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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