- 屏蔽性能的指標(biāo)
- 表面轉(zhuǎn)移阻抗
- 轉(zhuǎn)移阻抗
- 耦合衰減
- 屏蔽系數(shù)
- 屏蔽耦合損耗
1.表面轉(zhuǎn)移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
按IEC61196-1測(cè)試同軸電纜的方法，測(cè)試帶屏蔽的平衡電纜，短路8根芯線后用50Ω信號(hào)源激勵(lì)。被測(cè)試線長1米，測(cè)試頻率30MHz，頻率越高，線長越短導(dǎo)體表面轉(zhuǎn)移阻抗。主要用于評(píng)估連接硬件的屏蔽效率，其實(shí)測(cè)值不超過以下計(jì)算值。
ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
ZTcable：表面轉(zhuǎn)移阻抗，單位mΩ/m
f：信號(hào)頻率，單位MHz
2.轉(zhuǎn)移阻抗(TransferImpedance)
轉(zhuǎn)移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關(guān)，其數(shù)值可通過實(shí)驗(yàn)室高頻密封箱測(cè)量屏蔽插入損耗，計(jì)算得出。
Ri1=Ri2=50Ω——網(wǎng)絡(luò)分析儀特性阻抗
R1=50Ω——饋電電阻
R2=50Ω——終端電阻
U1=信號(hào)發(fā)射電壓(V)
U2=信號(hào)接收電壓(V)
Uc=被測(cè)設(shè)備兩端電壓
Zcond=連接器特性阻抗(Ω)
Zt=轉(zhuǎn)移阻抗(Ω)
Zt=1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長度•U2/U1
由于屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB，轉(zhuǎn)移阻抗(Zt)也可以表示為：
Zt=100•10α/20(Ω)
3.耦合衰減(CouplingAttenuation)
耦合衰減用于描述電纜系統(tǒng)的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr：線纜接收功率;Pi：在內(nèi)導(dǎo)體上產(chǎn)生的噪聲功率)
將電纜近似看作電磁場(chǎng)中的全向天線，其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信號(hào)波長，PD：電磁場(chǎng)功率密度)
內(nèi)部內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Pi=內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Vi2/Z(Vi：內(nèi)導(dǎo)體上的噪聲電壓;Z內(nèi)導(dǎo)體阻抗，50Ω)
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4屏蔽系數(shù)(GB54419-1985)
按下圖裝置，測(cè)試電纜金屬護(hù)套及鎧裝層的理想屏蔽系數(shù)γ0s=VC/VS(線芯上的感應(yīng)電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV)。
5屏蔽耦合損耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
GTEM小室饋入功率與被測(cè)件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減(CouplingAttenuation)意義相同。
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
采用GTEM小室測(cè)量無屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。
