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如何理解電磁波的近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)呢？
電磁場(chǎng)的特性變化取決于與天線的距離。可變的電磁場(chǎng)經(jīng)常劃分為兩部分 —— 近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)。要清楚了解二者的區(qū)別，就必須了解無(wú)線電波的傳播。
2019-08-28
電磁波 近場(chǎng)通信
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PCB電磁場(chǎng)求解方法及仿真軟件
本文旨在工程描述一些電磁場(chǎng)求解器基本概念和市場(chǎng)主流PCB仿真EDA軟件，更為深入的學(xué)習(xí)可以參考計(jì)算電磁學(xué)相關(guān)資料。
2019-08-27
PCB 電磁場(chǎng) 求解方法 仿真軟件
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EMI逆向分析法
剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對(duì)EMC問(wèn)題，很多時(shí)候應(yīng)該都會(huì)覺(jué)的無(wú)從下手，或者毫無(wú)頭緒。至此，為何不反過(guò)來(lái)從測(cè)試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測(cè)分析，下面就列舉幾個(gè)常見(jiàn)的EMI輻射問(wèn)題分析思路。
2019-08-26
EMI 逆向分析
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解決電源EMI問(wèn)題的革命性技術(shù)
做過(guò)硬件設(shè)計(jì)，尤其是做過(guò)DC-DC這部分的硬件工程師應(yīng)該對(duì)上圖中的大電流共模濾波器相當(dāng)熟悉，我們都用它來(lái)解決DC-DC這部分的共模干擾。說(shuō)到這里我覺(jué)得我們有必要稍微了解一下我們的這位老盆友----共模電感的前世今生：
2019-08-22
電源 EMI問(wèn)題
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分享30條降低噪聲與電磁干擾的經(jīng)驗(yàn)
電子設(shè)備的靈敏度越來(lái)越高，這要求設(shè)備的抗干擾能力也越來(lái)越強(qiáng)，因此PCB設(shè)計(jì)也變得更加困難，如何提高PCB的抗干擾能力成為眾多工程師們關(guān)注的重點(diǎn)問(wèn)題之一。以下分享30條降低噪聲與電磁干擾的經(jīng)驗(yàn)。
2019-08-21
降低噪聲 電磁干擾
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EMC元器件有源器件選型概述
產(chǎn)品EMC設(shè)計(jì)，需要在不同級(jí)別上實(shí)現(xiàn)，包括：元器件、部件級(jí)、PCB級(jí)、模塊級(jí)、產(chǎn)品級(jí)、集成系統(tǒng)級(jí)。解決元器件、部件級(jí)、PCB級(jí)的EMC問(wèn)題，終究比解決模塊級(jí)、產(chǎn)品級(jí)、集成系統(tǒng)級(jí)更容易，更有效，成本更低。而我們常用的電子器件主要包括有源器件和無(wú)源器件兩種類(lèi)型。
2019-08-20
EMC 元器件 有源器件 選型
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開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)，最大效率與最小電磁干擾如何“兼得”？
開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開(kāi)關(guān)瞬變是有利的，因?yàn)檫@顯著降低了開(kāi)關(guān)模式電源中的開(kāi)關(guān)損耗。尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換也會(huì)帶來(lái)一些負(fù)面影響。開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20MHz和200MHz之間時(shí)，干擾會(huì)急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率...
2019-08-20
開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換 最大效率 電磁干擾
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使用PCB孔來(lái)減少EMI，接地連接非常重要
PCB中的安裝孔是電子設(shè)計(jì)中的重要元素。每個(gè)PCB設(shè)計(jì)師都會(huì)去了解PCB安裝孔的用途以及基本設(shè)計(jì)。并且，當(dāng)安裝孔與地面連接時(shí)，可以節(jié)省安裝后的一些不必要的麻煩。
2019-08-08
PCB孔 EMI 接地
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電容器的發(fā)熱特性
我們一般討論電容的時(shí)候會(huì)關(guān)注電容的溫度特性，即：溫度對(duì)容值等參數(shù)的影響。但是我們知道電容本身也是會(huì)發(fā)熱的：只要有電阻，又有電流，就會(huì)有電能轉(zhuǎn)化為熱能。
2019-08-07
電容器 發(fā)熱
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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