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2010年美國小型半導體公司恐掀被并潮
據路透(Reuters)報導，由于整體經濟疲弱，半導體廠商要靠自家的力量達到營收成長，相對難度較高，因此購并在利基型市場上有獨到技術的小型廠商，將是2010年的趨勢，而這些小型的半導體廠商恐怕也會掀起被購并潮。
2010-01-28
美國 小型半導體 被并潮
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變頻器未來發展凸現六種特性
變頻器是運動控制系統中的功率變換器。當今的運動控制系統是包含多種學科的技術領域，總的發展趨勢是：驅動的交流化，功率變換器的高頻化，控制的數字化、智能化和網絡化。因此，變頻器作為系統的重要功率變換部件，提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發展。
2010-01-28
變頻器 未來發展 凸現 特性
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山西首批大型并網太陽能發電項目開工
山西首批大型并網太陽能發電項目——山西國際電力集團右玉小五臺一期10MW、平魯阻虎一期5MW太陽能發電項目正式開工。
2010-01-28
山西 大型并網 太陽能 發電項目
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LED死燈原因分析探討
我們經常會碰到LED不亮的情況,封裝企業、應用企業以及使用的單位和個人,都有可能碰到,這就是行業內的人說的死燈現象。本文重點分析LED死燈原因和防護。
2010-01-28
LED 死燈原因 靜電
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術
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罐式電容式電壓互感器研制成功
國網電科院研制的罐式結構特高壓電容式電壓互感器。其短時工頻耐受電壓達到1100kV/5min、雷電沖擊耐受電壓達到2400kV、操作沖擊耐受電壓達到1800kV，二次繞組準確級達到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式電容式 電壓互感器 研制成功
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江門建LED產業基地 2015年產值或達500億
昨天在江門市召開的2010年全國半導體照明電子行業標準發布及宣貫大會上，江門市常務副市長吳紫驪宣布，江門市將大力發展LED產業，到2015年實現500億元產業規模，建設中國重要的LED產業基地。
2010-01-27
江門 LED產業 基地 產值
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韓半導體產業宣告全面復蘇
韓國半導體產業的兩大支柱，三星電子和海力士去年第四季度均創造有史以來最高銷售業績，而且銷售利潤都超過了20％。
2010-01-27
韓國 半導體產業 全面復蘇
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