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太陽(yáng)能行業(yè)升級(jí) 即將邁入“平板時(shí)代”
近日，2010年亞運(yùn)會(huì)綠色能源供應(yīng)商、國(guó)內(nèi)平板太陽(yáng)能的領(lǐng)導(dǎo)者——廣東五星太陽(yáng)能股份有限公司董事長(zhǎng)胡廣良介紹說(shuō)，國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能光熱行業(yè)應(yīng)當(dāng)升級(jí)，平板太陽(yáng)能由于技術(shù)成熟、承壓性強(qiáng)、熱效率高、便于實(shí)施太陽(yáng)能與建筑一體化以及解決了真空管的玻璃管破裂等安全隱患以及不能用于高層建筑等問(wèn)題，必將成為...
2009-11-26
太陽(yáng)能 平板 綠色能源
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我國(guó)太陽(yáng)能光伏裝機(jī)容量今年底有望增長(zhǎng)一倍
到今年底，中國(guó)的太陽(yáng)能光伏裝機(jī)容量有望較去年同期增逾一倍。預(yù)計(jì)今年新增裝機(jī)容量可能會(huì)達(dá)到150兆瓦，風(fēng)電總裝機(jī)容量將提高至約1.5億千瓦，太陽(yáng)能光伏的發(fā)展目標(biāo)為總裝機(jī)容量2,000萬(wàn)千瓦。
2009-11-26
太陽(yáng)能光伏 裝機(jī)容量 增長(zhǎng)
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GS湯淺將新建鋰電池工廠并“計(jì)劃2012年春季正式投產(chǎn)”
日本GS湯淺（GS Yuasa）宣布，將在滋賀縣栗東市建設(shè)鋰離子充電電池工廠。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開始交涉。該公司公關(guān)部介紹說(shuō)，計(jì)劃2010年10月開工建設(shè)，“2012年春季正式投產(chǎn)”。
2009-11-26
GS湯淺 鋰電池工廠 正式投產(chǎn) 2012
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三年后我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)全球最牛 將趕超美國(guó)
畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示：“中國(guó)作為終端用戶市場(chǎng)，將變得越來(lái)越重要。”他表示，傳統(tǒng)上中國(guó)是制造業(yè)大國(guó)，不是消費(fèi)大國(guó)，但他預(yù)計(jì)，三年后中國(guó)市場(chǎng)將高出美國(guó)市場(chǎng)近1倍。
2009-11-26
畢馬威 半導(dǎo)體市場(chǎng) 全球最牛 趕超美國(guó)
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群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過(guò)三合一合并方案
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱，該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開臨時(shí)董事會(huì)，通過(guò)三合一合并案。三家公司預(yù)計(jì)明年元月6日召開股東臨時(shí)會(huì)通過(guò)合并案，三合一合并基準(zhǔn)日為明年4月30日。
2009-11-26
群創(chuàng) 奇美 統(tǒng)寶 合并方案
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IMEC開發(fā)的硅納米線太陽(yáng)能電池使轉(zhuǎn)換效率達(dá)30％以上
在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)下下代太陽(yáng)能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細(xì)線狀的硅（硅納米線）。包括美國(guó)通用電氣（General Electric）在內(nèi)，目前世界各地都在進(jìn)行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽(yáng)能電池 硅納米線 EUV曝光
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最先進(jìn)液晶面板線項(xiàng)目啟動(dòng) 投資逾200億
總投資達(dá)二百四十五億元的深圳市第八點(diǎn)五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線項(xiàng)目，十六日在深圳高交會(huì)上宣布正式啟動(dòng)，標(biāo)志著中國(guó)主要依靠自主創(chuàng)新建設(shè)、中國(guó)內(nèi)地迄今最高世代液晶面板生產(chǎn)線項(xiàng)目落戶深圳。
2009-11-25
液晶面板線 最先進(jìn) TFT-LCD
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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中國(guó)電子報(bào)：今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點(diǎn)
近日，企業(yè)第三季度財(cái)報(bào)紛紛出籠，產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)進(jìn)一步明朗化。但由于企業(yè)上升動(dòng)力不足，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大，應(yīng)該會(huì)在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點(diǎn) 中國(guó)電子報(bào)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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