機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• iSuppli否認(rèn)半導(dǎo)體市場(chǎng)將出現(xiàn)“泡沫”和“二次探底”
• 個(gè)人電腦等將實(shí)現(xiàn)超預(yù)期的供貨量和銷售額

市場(chǎng)數(shù)據(jù)：

• iSuppli 將2010年半導(dǎo)體銷售額其上調(diào)至3103億美元

美國(guó)iSuppli宣布，將上調(diào)2010年的半導(dǎo)體銷售額預(yù)測(cè)。在發(fā)布上次預(yù)測(cè)的2010年5月，iSuppli曾預(yù)測(cè)2010年的銷售額將達(dá)到3005億美元，比2009年的2296億美元銷售額增加30.9％。此次將其上調(diào)至比上年增加35.1％的約3103億美元。 據(jù)發(fā)布資料顯示，此次的增幅——807億美元?jiǎng)?chuàng)下了歷史新高。此前的歷史最高記錄是2000年的約600億美元。iSuppli分析稱，增幅如此大的理由是電子產(chǎn)品的增長(zhǎng)和半導(dǎo)體芯片的價(jià)格上漲這兩個(gè)因素的乘積效應(yīng)。也就是說，2010年電子產(chǎn)品廠商的工廠供貨額將達(dá)到比上年增加9.3％的1萬(wàn)億5400億美元，超過2008年的1萬(wàn)億5300億美元?jiǎng)?chuàng)下歷史新高。據(jù)iSuppli介紹，尤其是個(gè)人電腦（PC）、手機(jī)和液晶電視等，將實(shí)現(xiàn)超過預(yù)期的供貨量和銷售額。半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，而半導(dǎo)體芯片由于此前的庫(kù)存調(diào)整和供應(yīng)量調(diào)整，供應(yīng)量不會(huì)大幅增加。另外，隨著這些產(chǎn)品的技術(shù)革新，其中配備的半導(dǎo)體正在推進(jìn)高集成化。由于上述供應(yīng)不足和高集成化因素，半導(dǎo)體芯片價(jià)格將處于上升趨勢(shì)。iSuppli預(yù)測(cè)，最終半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)將以超過電子產(chǎn)品市場(chǎng)的勢(shì)頭迅速增長(zhǎng)。

iSuppli從正面否定了對(duì)于此次快速增長(zhǎng)所擔(dān)心的“泡沫”和“二次探底”。關(guān)于泡沫問題，有觀點(diǎn)認(rèn)為，此前曾創(chuàng)下歷史最高增長(zhǎng)率的2000年出現(xiàn)了需求泡沫，所以此次的增長(zhǎng)會(huì)不會(huì)也是泡沫。但是，iSuppli指出，2000年的增長(zhǎng)是繼1999年經(jīng)濟(jì)繁榮之后的產(chǎn)物，而此次增長(zhǎng)的背景卻是經(jīng)濟(jì)形勢(shì)從2009年以前的經(jīng)濟(jì)低迷期開始的復(fù)蘇，因此這兩種情況“在循環(huán)本質(zhì)上完全不同”。關(guān)于二次探底，iSuppli高級(jí)副總裁戴利·福特（Dale Ford）表示，“我不同意二次探底將要到來(lái)的觀點(diǎn)”。他認(rèn)為，從2010年下半年開始，2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)將恢復(fù)到通常模式。也就是說，2010年第二季度將環(huán)比增加8.2％，達(dá)到峰值，第三季度將環(huán)比增加6.7％、第四季度將環(huán)比增加0.4％，出現(xiàn)減速，進(jìn)入2011年后，由于通常的季節(jié)因素，將轉(zhuǎn)為環(huán)比負(fù)增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)測(cè)，回到這種標(biāo)準(zhǔn)增長(zhǎng)模式后，2011年的半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)7％。

最后，關(guān)于不同元件的2010年增長(zhǎng)率方面，DRAM為增加86％、NAND型閃存為增加33％，均將實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)，而NOR型閃存將不會(huì)實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)。存儲(chǔ)器整體的增長(zhǎng)率為56％。存儲(chǔ)器以外增長(zhǎng)率較大的是LED、PLD、通用模擬部件以及離散部件，這些產(chǎn)品的增長(zhǎng)率為36～49％。此外，iSuppli認(rèn)為微器件（Microcomponent）、邏輯部件、模擬部件、離散部件、光學(xué)部件以及傳感器也將增長(zhǎng)25％以上。