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    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度

    發(fā)布時(shí)間:2020-03-20 來(lái)源:Marcus O''''''''''''''''Sullivan 責(zé)任編輯:wenwei

    【導(dǎo)讀】電流檢測(cè)電阻有多種形狀和尺寸可供選擇,用于測(cè)量諸多汽車、功率控制和工業(yè)系統(tǒng)中的電流。使用極低值電阻(幾mΩ或以下)時(shí),焊料的電阻將在檢測(cè)元件電阻中占據(jù)很大比例,結(jié)果大幅增加測(cè)量誤差。高精度應(yīng)用通常使用4引腳電阻和開(kāi)爾文檢測(cè)技術(shù)以減少這種誤差,但是這些專用電阻卻可能十分昂貴。另外,在測(cè)量大電流時(shí),電阻焊盤的尺寸和設(shè)計(jì)在確定檢測(cè)精度方面起著關(guān)鍵作用。本文將描述一種替代方案,該方案采用一種標(biāo)準(zhǔn)的低成本雙焊盤檢測(cè)電阻(4焊盤布局)以實(shí)現(xiàn)高精度開(kāi)爾文檢測(cè)。圖1所示為用于確定五種不同布局所致誤差的測(cè)試板。
     
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
    圖1. 檢測(cè)電阻布局測(cè)試PCB板。
     
    電流檢測(cè)電阻
     
    采用2512封裝的常用電流檢測(cè)電阻的電阻值最低可達(dá)0.5 mΩ,其最大功耗可能達(dá)3 W。為了展現(xiàn)最差條件下的誤差,這些試驗(yàn)采用一個(gè)0.5 mΩ、3 W電阻,其容差為1%(型號(hào):ULRG3-2512-0M50-FLFSLT制造商:Welwyn/TTelectronics)其尺寸和標(biāo)準(zhǔn)4線封裝如圖2所示。
     
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
    圖2. (a) ULRG3-2512-0M50-FLFSLT電阻的外形尺寸;(b) 標(biāo)準(zhǔn)4焊盤封裝。
     
    傳統(tǒng)封裝
     
    對(duì)于開(kāi)爾文檢測(cè),必須將標(biāo)準(zhǔn)雙線封裝焊盤進(jìn)行拆分,以便為系統(tǒng)電流和檢測(cè)電流提供獨(dú)立的路徑。圖3顯示了此類布局的一個(gè)例子。系統(tǒng)電流用紅色箭頭表示的路徑。如果使用一種簡(jiǎn)單的雙焊盤布局,則總電阻為:
     
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
     
    為了避免增加電阻,需要把電壓檢測(cè)走線正確的布局到檢測(cè)電阻焊盤處。系統(tǒng)電流將在上部焊點(diǎn)導(dǎo)致顯著的壓降,但檢測(cè)電流則會(huì)在下部焊點(diǎn)導(dǎo)致可以忽略不計(jì)的壓降??梢?jiàn),這種焊盤分離方案可以消除測(cè)量中的焊點(diǎn)電阻,從而提高系統(tǒng)的總體精度。
     
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
    圖3. 開(kāi)爾文檢測(cè)。
     
    優(yōu)化開(kāi)爾文封裝
     
    圖3所示布局是對(duì)標(biāo)準(zhǔn)雙焊盤方案的一種顯著的改進(jìn),但是,在使用極低值電阻(0.5 mΩ或以下)時(shí),焊盤上檢測(cè)點(diǎn)的物理位置以及流經(jīng)電阻的電流對(duì)稱性的影響將變得更加顯著。例如,ULRG3-2512-0M50-FLFSL是一款固態(tài)金屬合金電阻,因此,電阻沿著焊盤每延伸一毫米,結(jié)果都會(huì)影響有效電阻。使用校準(zhǔn)電流,通過(guò)比較五種定制封裝下的壓降,可以確定最佳檢測(cè)布局。
     
    測(cè)試PCB板
     
    圖4展示在測(cè)試PCB板上構(gòu)建的五種布局模式,分別標(biāo)記為A到E。我們盡可能把走線布局到沿著檢測(cè)焊盤延伸的不同位置的測(cè)試點(diǎn),表示為圖中的彩點(diǎn)。各個(gè)電阻封裝為:
     
    1. 基于2512建議封裝的標(biāo)準(zhǔn)4線電阻(見(jiàn)圖2(b))。檢測(cè)點(diǎn)對(duì)(X 和 Y)位于焊盤外緣和內(nèi)緣(x軸)。
     
    2. 類似于A,但焊盤向內(nèi)延伸較長(zhǎng),以便更好地覆蓋焊盤區(qū)(見(jiàn)圖2(a))。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤中心和末端。
     
    3. 利用焊盤兩側(cè)以提供更對(duì)稱的系統(tǒng)電流通路。同時(shí)把檢測(cè)點(diǎn)移動(dòng)到更中心的位置。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤中心和末端。
     
    4. 與C類似,只是系統(tǒng)電流焊盤在最靠里的點(diǎn)接合。只使用了外部檢測(cè)點(diǎn)。
     
    5. A和B的混合體。系統(tǒng)電流流過(guò)較寬的焊盤,檢測(cè)電流流過(guò)較小的焊盤。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤的外緣和內(nèi)緣。
     
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
    圖4. 測(cè)試PCB板的布局
     
    在模板上涂抹焊料,并在回流爐中使用回流焊接。使用的是ULRG3-2512-0M50-FLFSLT電阻。
     
    測(cè)試步驟
     
    測(cè)試設(shè)計(jì)如圖5所示。使20 A的校準(zhǔn)電流通過(guò)各個(gè)電阻,同時(shí)使電阻保持在25°C。在加載電流后1秒內(nèi),測(cè)量產(chǎn)生的差分電壓,以防止電阻溫度升高1°C以上。同時(shí)監(jiān)控各個(gè)電阻的溫度,以確保測(cè)試結(jié)果均在25°C下測(cè)得。電流為20 A時(shí),通過(guò)0.5 mΩ電阻的理想壓降為10 mV。
     
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
    圖5. 測(cè)試設(shè)置
     
    測(cè)試結(jié)果
     
    表1列出了采用圖4所示檢測(cè)焊盤位置測(cè)得的數(shù)據(jù)。
     
    表1. 測(cè)得電壓和誤差
    改進(jìn)低值分流電阻的焊盤布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
     
    *無(wú)開(kāi)爾文檢測(cè)。對(duì)通過(guò)高電流主焊盤的電壓進(jìn)行測(cè)量,以展示與焊料電阻相關(guān)的誤差。
     
    觀察結(jié)果
     
    1. 由于結(jié)果的可比較性以及各電阻偏差都在容限范圍之內(nèi),所以得出封裝C和D的誤差最少,。封裝C為首選封裝,因?yàn)樗淮罂赡軐?dǎo)致與元件放置容限相關(guān)的問(wèn)題。
     
    2. 在每一種情況下,電阻外端的檢測(cè)點(diǎn)提供的結(jié)果最準(zhǔn)確。這表明,這些電阻是制造商根據(jù)電阻的總長(zhǎng)度設(shè)計(jì)的。
     
    3. 請(qǐng)注意,在未使用開(kāi)爾文檢測(cè)時(shí),焊料電阻相關(guān)誤差是22%。這相當(dāng)于約0.144 mΩ的焊料電阻。
     
    4. 封裝E展示了不對(duì)稱焊盤布局的效應(yīng)?;亓髌陂g,元件通過(guò)大量焊料才能焊盤。應(yīng)避免這種封裝。
     
    結(jié)論
     
    根據(jù)前面所示結(jié)果,最佳封裝是C,其預(yù)期測(cè)量誤差小于1%。該封裝的建議尺寸如圖6所示。
     
    http://www.77uud.com/art/artinfo/id/80037890
    圖6. 最佳封裝尺寸
     
    檢測(cè)走線的布局也會(huì)影響測(cè)量精度。為了實(shí)現(xiàn)最高精度,應(yīng)在電阻邊緣測(cè)量檢測(cè)電壓。圖7所示建議布局采用通孔,把焊盤外邊緣布局到另一層,從而避免切割主電源層。
     
    http://www.77uud.com/art/artinfo/id/80037890
    圖7. 建議PCB走線路由
     
    本文中的數(shù)據(jù)可能并不適用于所有電阻,而且結(jié)果可能因情況而異,具體取決于電阻的材質(zhì)和尺寸。應(yīng)該咨詢電阻制造商。用戶有責(zé)任確保封裝的布局尺寸和結(jié)構(gòu)均符合各項(xiàng)SMT制造要求。對(duì)于因使用本封裝而可能導(dǎo)致的任何問(wèn)題,ADI概不負(fù)責(zé)。
     
     
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