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TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向
1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，從事磁性材料的商業(yè)開發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年，該公司正式更名為TDK株式會(huì)社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學(xué)）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動(dòng)元件
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TG-5005CG：Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司開始批量生產(chǎn)針對(duì)手機(jī)終端的GPS，在小型且高精度TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術(shù)制作的印制蝕刻芯片的產(chǎn)品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
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L4600A：安捷倫全新便攜式無(wú)線電測(cè)試儀
安捷倫科技公司（NYSE：A）日前推出結(jié)構(gòu)堅(jiān)固的便攜式無(wú)線電測(cè)試儀，它的一鍵式功能型測(cè)試可以在軍用外場(chǎng)維護(hù)和中間級(jí)維護(hù)節(jié)省培訓(xùn)和測(cè)試使用時(shí)間。
2008-07-10
無(wú)線電測(cè)試儀 測(cè)試工具
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VHP203：Vishay 新型密封式微型超高精度Z 箔電阻
為滿足高可靠性應(yīng)用中對(duì)性能的長(zhǎng)期穩(wěn)定性的需求，Vishay推出新型密封式 VHP203微型超高精度 Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C范圍內(nèi)具有 ±0.05 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色功率系數(shù)、±0.001% 的容差，以及 ±0.002% (20 ppm) 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-06-27
VHP203 Z 箔電阻
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IHLP-2020BZ-01：Vishay 2020封裝IHLP超薄、高電流電感器
Vishay宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP超薄、髙電流電感器。這款小型 IHLP-2020BZ-01具有 5.18mm×5.49mm 的占位面積、2.0mm 的超薄厚度、較高的最大頻率，以及 0.1μH～10μH 的標(biāo)準(zhǔn)電感值。
2008-06-27
IHLP-2020BZ-01 電感器 IHLP
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NS-34R：Epson Toyocom高性能的表面聲波(SAW)諧振器
Epson Toyocom將表面聲波（SAW）諧振器的設(shè)計(jì)技術(shù)和超精密制造技術(shù)相融合，開發(fā)出以基波對(duì)應(yīng)振蕩頻率為2.5GHz的高頻、同時(shí)達(dá)到±200×10-6的高度頻率穩(wěn)定度的表面聲波（SAW）諧振器NS-34R。計(jì)劃在2008年度內(nèi)實(shí)現(xiàn)商品化。
2008-06-25
NS-34R 表面聲波諧振器SAW
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。
2008-06-25
D2TO35 厚膜電阻
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全印制電子技術(shù)帶給PCB工業(yè)變革與進(jìn)步
全印制電子的噴墨打印技術(shù)在pcb中的應(yīng)用主要表現(xiàn)在三個(gè)方面：在圖形轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用；在埋嵌無(wú)源元件中的應(yīng)用；在直接形成線路和連接的全印制電子(含封裝方面)中的應(yīng)用。這些應(yīng)用為PCB產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革和進(jìn)步。
2008-06-18
全印制電子技術(shù)
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FC-13E：Epson Toyocom最薄kHz頻率范圍晶體單元
Epson Toyocom將最薄0.48mm Max.的kHz頻率范圍晶體單元(音叉型晶體單元)FC-13E實(shí)現(xiàn)了商品化。
2008-06-11
FC-13E 晶體單元
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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