-
SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
-
SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
-
SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
-
SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
-
TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
-
TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
-
STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
-
STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
-
STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰?
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異?
- 集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
- 多通道同步驅動技術中的死區時間納米級調控是如何具體實現的?
- 電壓放大器:定義、原理與技術應用全景解析
- 減排新突破!意法半導體新加坡工廠冷卻系統升級,護航可持續發展
- 低排放革命!貿澤EIT系列聚焦可持續技術突破
- 精密信號鏈技術解析:從原理到高精度系統設計
- 性能與成本的平衡:獨石電容原廠品牌深度對比
- 從失效案例逆推:獨石電容壽命計算與選型避坑指南
- 獨石電容技術全景解析——從成本到選型的工程實踐指南
- 電子系統設計必讀——基準電壓源選型指南
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall