產(chǎn)品特性：
- 采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，散熱出色
- 低導(dǎo)通電阻：最大0.0024?
- 低Qgd/Qgs比率
- Qrr 為 30 nC，VSD 為 0.37 V
- 可通過(guò)Rg和UIS測(cè)試
應(yīng)用范圍：
- 服務(wù)器和通信系統(tǒng)
- VRM運(yùn)用
- 顯卡和負(fù)載點(diǎn)等應(yīng)用
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。
新型SiE726DF在10V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)，具有極低的導(dǎo)通電阻，最大為0.0024?（在4.5V驅(qū)動(dòng)時(shí)，最大為0.0033?），且在無(wú)散熱片的情況下，能夠處理的電流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%，為服務(wù)器和通信系統(tǒng)中的高電流直流—直流轉(zhuǎn)換器的同步整流低端控制開(kāi)關(guān)、VRM運(yùn)用、顯卡和負(fù)載點(diǎn)等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能夠提供良好的擊穿保護(hù)。
該器件的 Qrr 為 30 nC 且 VSD 為 0.37 V — 兩者均比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低50%以上 — 集成了MOSFET和肖特基二極管的SiE726DF因?yàn)榧纳骷p少和MOSFET體二極管相關(guān)的功率損耗降低，效率也得到了提高。隨著開(kāi)關(guān)頻率升高，功率損耗減少越來(lái)越顯著。此外，取消外接肖特基二極管可在降低成本的同時(shí)，令設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出更小、更簡(jiǎn)潔的電路設(shè)計(jì)。
PolarPAK封裝提供的雙面冷卻功能在高電流運(yùn)用領(lǐng)域表現(xiàn)出更出色的散熱性能。這使器件能夠在更低結(jié)溫下運(yùn)作，頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。除簡(jiǎn)化生產(chǎn)外，基于引線框架的密封設(shè)計(jì)因芯片密封，同樣提供了保護(hù)和可靠性。無(wú)論芯片大小，該器件提供相同的布局布線，簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)，且100%通過(guò)Rg 和 UIS 測(cè)試。
目前，可提供SiE726DF的樣品與量產(chǎn)批量，大宗訂單的的供貨周期為 10 至14 周。
