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    IRFBxxxxPBF:IR全新基準高電流MOSFET

    發(fā)布時間:2008-12-19

    產(chǎn)品特性:IR全新基準高電流MOSFET

    • 封裝電流額定值達到195A
    • 低導通電阻
    •  7管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A
    • 可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝
    • 提供60V至200V的電壓

    應用范圍:

    • 工業(yè)用電池、電源
    • 高功率DC馬達及電動工具

    國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。

    新器件的封裝電流額定值達到195A,比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導通電阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A的卓越水平,使它成為市場上最耐用的表面貼裝封裝之一。這種7管腳D2PAK封裝比D2PAK封裝具更低的RDS (on) 。

    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些封裝提供的更高電流額定值有助于利用不需要的瞬態(tài)提供更多防護頻帶,而且還能讓數(shù)枚MOSFET分享高電流的平行式拓撲得以減少器件數(shù)目。”

    全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的電壓,并達到工業(yè)級別及濕度敏感度第一階(MSL1) 標準。新器件均不含鉛及符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

    產(chǎn)品基本規(guī)格如下:

    器件編號

    通道

    類型

    Bvdss
    (V)

    RDS(on)

    (mΩ)

    25ºC Id

    (A)

    Qg

    (nC)

    封裝

    IRFB3006PBF

    N

    60

    2.5

    195*

    200

    TO-220

    IRFS3006PBF

    N

    60

    2.5

    195*

    200

    D2PAK

    IRFS3006-7PPBF

    N

    60

    2.1

    240*

    200

    D2PAK-7

    IRFS3107PBF

    N

    75

    3.0

    195*

    160

    D2PAK

    IRFS3107-7PPBF

    N

    75

    2.6

    240*

    160

    D2PAK-7

    IRFS4010PBF

    N

    100

    4.7

    180

    143

    D2PAK

    IRFS4010-7PPBF

    N

    100

    4.0

    190

    150

    D2PAK-7

    IRFB4115PBF

    N

    150

    11

    104

    77

    TO-220

    IRFS4115PBF

    N

    150

    12.1

    99

    77

    D2PAK

    IRFS4115-7PPBF

    N

    150

    11.8

    105

    73

    D2PAK-7

    IRFB4127PBF

    N

    200

    20

    76

    100

    TO-220

    IRFS4127PBF

    N

    200

    22

    72

    100

    D2PAK

    新款MOSFET系列已經(jīng)開始供貨。

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