產(chǎn)品特性：

• 采用微型DFN1212-3封裝
• 結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻為130ºC/W
• 低導(dǎo)通電阻，低傳導(dǎo)損耗，低功率耗散

應(yīng)用范圍：

• 數(shù)碼相機(jī)、平板電腦及智能手機(jī)等高便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (Rthj-a) 為130ºC/W，能于持續(xù)狀態(tài)下支援高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthj-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。

這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱力效能則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的訊號(hào)及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，用于包括數(shù)碼相機(jī)、平板電腦及智能手機(jī)在內(nèi)的高便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品。

Diodes公司首次推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導(dǎo)通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有效大幅減少傳導(dǎo)損耗及功率耗散。

Diodes稍后亦會(huì)推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件，以及一系列雙極型器件。