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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 鋁電解電容器
Vishay宣布已擴(kuò)展其150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與紋波電流，以及可實(shí)現(xiàn)高振動(dòng)功能的 4 針腳版本。
2008-07-09
150 CRZ SMD 鋁電解電容器
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長(zhǎng)達(dá)2,000小時(shí)的±0.05%負(fù)載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實(shí)現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對(duì)TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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B84143D*R127系列：EPCOS長(zhǎng)引出線應(yīng)用EMC濾波器
愛(ài)普科斯闊展了它的3路EMC濾波器系列, 增加了變頻器用高性能系列產(chǎn)品。其出色的衰減性能尤其對(duì)長(zhǎng)電動(dòng)機(jī)引出線有決定性的優(yōu)勢(shì)。
2008-06-19
B84143D*R127 SineFormer濾波器 EMC濾波器
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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B82466G0*/B82467G0*/B82469G1*：EPCOS新電感器系列
愛(ài)普科斯(EPCOS)開(kāi)發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。
2008-06-01
B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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