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20VIN、8A高效率微型封裝降壓型μModule器件
LTM4657是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器μModule?器件系列中的一款產(chǎn)品。與LTM4626和LTM4638相比，它的開關(guān)頻率更低, 因此LTM4657在8 A輸出電流范圍內(nèi)提供更高的效率。LTM4657兼具LTM4638的高效率和LTM4626的小巧外形，屬于LTM4626和LTM4638的中間產(chǎn)品。
2020-09-15
高效率 微型封裝 μModule器件
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雙極性結(jié)型晶體管電流鏡
本實驗的目的是研究雙極性結(jié)型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括：在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化（如電源或溫度）的影響。
2020-09-15
BJT 電流源 電流鏡 ADALM2000
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理解輸出電壓紋波和噪聲二：高頻噪聲分量的來源和抑制
輸出電壓波形中除了開關(guān)頻率分量的紋波以外，還存在高頻噪聲分量，如圖1所示。高頻噪聲是如何形成的呢？主要是由電路中的寄生參數(shù)造成的。在實際電路中，PCB走線存在寄生電感和電阻，輸入輸出電容會引入寄生電感和電阻，兩個不同電位的平面之間會形成寄生電容。
2020-09-11
輸出電壓紋波 高頻噪聲分量 來源 抑制
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多相位降壓轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
對于電流在 25 A 左右的低壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而言，單相降壓控制器非常有效。若電流再大的話，功耗和效率就開始出現(xiàn)問題。一種較好的方法是使用多相降壓控制器。本文將簡單比較，使用多相降壓轉(zhuǎn)換器和單相轉(zhuǎn)換器的好處，并說明電路實現(xiàn)時一個多相降壓轉(zhuǎn)換器能夠提供什么樣的值。
2020-09-10
多相位 降壓轉(zhuǎn)換器 優(yōu)勢
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如何解決電源常見應(yīng)用問題(DC/DC定壓篇)
開關(guān)電源以高集成度、高可靠性、簡化設(shè)計等多重優(yōu)勢，受到許多產(chǎn)品設(shè)計者的青睞，但其容易上手，操作簡單的優(yōu)點也會在使用中出現(xiàn)一些問題，例如：輸出電壓偏低/飄高、模塊損壞、EMC無法滿足等，針對這些可能發(fā)生的電源應(yīng)用問題，該如何排查并解決相應(yīng)故障。本文將主要針對DC/DC定電壓輸入電源應(yīng)用入...
2020-09-10
電源 應(yīng)用 DC/DC 定壓
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如何快速設(shè)計脈搏血氧儀？
脈搏血氧儀（如圖1所示）通過測量手指氧合血和去氧血對紅外和紅色光吸收的變化，無創(chuàng)地監(jiān)測心率和血氧飽和度。正常情況下，健康人的血氧飽和度在95%到100%范圍內(nèi)。使用像圖1所示的血氧儀測量血氧飽和度有助于監(jiān)測我們的健康狀況，而這正變得越來越流行。
2020-09-10
電路設(shè)計 脈搏血氧儀
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咱們來聊聊占空比的最小限制！
在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下，降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器（降壓變換器）的占空比相當(dāng)于輸出電壓除以輸入電壓。因此如果輸出電壓正好是輸入電壓的一半，對應(yīng)的占空比為50%。根據(jù)實際分量和相應(yīng)的寄生損失，這個占空比實際上稍有不同。不過這個簡單的占空比計算公式已足夠用于估算。
2020-09-10
占空比 最小限制 ADP2389
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Keith D. Jackson計劃2021年5月退任安森美總裁兼首席執(zhí)行官
2020年9月7日 - 安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor Corporation, 美國納斯達(dá)克上市代號：ON）宣布，公司總裁兼首席執(zhí)行官Keith D. Jackson（傑克信) 打算于2021年5月從安森美半導(dǎo)體退休。為確保有序過渡，Jackson先生在退休前將繼續(xù)擔(dān)任現(xiàn)有職務(wù)，并將協(xié)助董事會尋找其繼任人。此外，Jackson先生...
2020-09-09
Keith D. Jackson 安森美 總裁 退休
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工業(yè)設(shè)備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向—模塊化、復(fù)合化和集成化(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
2020-09-09
工業(yè)設(shè)備 逆變器 智能功率模塊
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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