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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著...
2020-08-07
GaN器件 開關模式 降低損耗
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功能豐富的系統需要采用靈活、可配置的20V大電流PMIC
隨著技術不斷進步，所有電子系統中包含的功能內容數量不斷增多，可用空間卻在不斷減少。手機有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車儀表盤上只有基本的AM收音機和少量簡易的儀表，現在卻裝滿了精密的儀器儀表、衛星收音機、藍牙?、GPS和其他基于手機的網絡連接、多彩車燈以及無數的USB...
2020-08-07
系統 靈活 大電流PMIC
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阻礙電源設計成功的因素有哪些？
PCB設計能“一次成功”已成為電子行業最強烈的訴求。以電源產品為例，PCB設計會直接影響電源的EMC性能、輸出噪聲、抗干擾能力，甚至是基本功能。更為重要的是，PCB設計成功與否直接影響著產品的上市時間。
2020-08-06
電源設計
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GaN將能源效率推升至新高度！
勞倫斯伯克利國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)[1]在2016年所做的一項研究表明，2020年美國數據中心將要消耗的能源預計會達到730億千瓦時——這是一個天文數字。只要我們對計算密集型數據服務的需求不斷增加，那么，在更小的空間內提供更多能量以盡可能高效地運行這些中心，就會是必...
2020-08-06
GaN 能源效率
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LDO在IoT中省電的兩種方法
隨著物聯網 (IoT) 不斷占領于我們的住宅和辦公場所，我們會發現越來越多的電器和系統集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統。不過，由于有如此之多的設備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計數的待機電能。我們怎樣才能使恒溫器、大門、門鈴、安防系統...
2020-08-06
LDO IoT 省電方法
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如何設計一款安靜且緊湊的工業用電源
工業用電源設計工程師們面臨著眾多供電挑戰；其中一個主要難題就是輸入電壓范圍的大幅變化。其中的原因有很多，其中就包括設計對遠距離的支持。例如，工廠會有一條在整個建筑內進行傳輸的主電壓軌。由于阻抗、以及感應電壓和連接至電源不同位置的設備所導致的噪聲，或者大型電感和電容元件所引起的...
2020-08-06
工業用電源 噪聲 重度負載
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不加組件也不漲尺寸，教你如何改善你的無線充電器！
小尺寸可穿戴設備越來越多地采用無線充電，因為這樣無需使用充電線，在設備上也無需配備外露式接口。對于充電電流小于10 mA的應用，由于功耗很低，因此無需在無線充電器接收器和發射器之間實施閉環控制。
2020-08-05
無線充電器 可穿戴設備
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可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝新器件結構問世
東京——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）今日宣布了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新器件結構問世。相較于東芝的典型器件結構，MOSFET內嵌的肖特基勢壘二極管[2]（SBD）可在抑制導通電阻增大的同時，將器件結構的可靠性提高10倍以上[3]。
2020-08-05
碳化硅 MOSFET 可靠性 東芝 新器件結構
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新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出 現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系 統。更高的開關頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率 開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本 ...
2020-08-04
功率開關技術 隔離式柵極驅動器 格局
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
- 集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
- 多通道同步驅動技術中的死區時間納米級調控是如何具體實現的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術應用全景解析
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