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第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相電機驅動開發和驗證套件
工業電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據估計，這些通常由交流電源驅動的電動機占工業用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數的微小改進也能在節省能源和成本方面產生深遠的影響。國際電化學委員會 (IEC) 為電機和集成電機驅動器制定了各種效率標準。例如，現在主要國家都要求采用IE3標準。在歐盟，額定輸出功率在 75 kW 至 200 kW 之間的電機需要符合 IE4 標準。
2025-01-21
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貿澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯手推出聚焦汽車Zonal架構的電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書，深入探討Zonal架構如何幫助設計師跟上汽車系統日益復雜化的步伐，以及它如何從根本上改變車輛構造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET設計電源性能和能效表現驚人！
在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。
2025-01-17
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如何通過配置控制器優化CAN總線系統性能
控制器局域網絡(CAN)可在多個網絡站點之間提供強大的通信能力，支持多種數據速率和距離。CAN具有數據鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業、儀器儀表和汽車應用之中。在ISO 11898標準的框架下，借助分布式多主機差分信令和內置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協議針對物理層和數據鏈路層規定了相應的實現方式。本文旨在描述如何針對給定應用優化設置，同時考慮控制器架構、時鐘、收發器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網絡配置問題——包括數據速率和電纜長度——說明何時有必要對CAN節點進行重新配置，以及如何從一開始就實現對節點的優化配置。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-14
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解決模擬輸入IEC系統保護問題
與系統模擬輸入和輸出節點交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統中未采用充分保護措施的集成電路(IC)。現代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護措施。人體模型(HBM)、機器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來測量器件承受ESD事件的能力的器件級標準。這些測試旨在確保器件能承受器件制造和PCB裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環境中實施。
2025-01-13
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氣相色譜傳感器解決環境監測需求
本文概述了用于環境質量監測的氣相色譜傳感器系統的工作原理及其關鍵組件。文中將介紹氣相色譜法如何精確地分析與水和土壤污染相關的化合物，探討氣相色譜系統的主要組成部分，包括進氣口、溫度控制裝置、檢測器和電源子系統。此外，我們還將提供低噪聲放大器、模數轉換器(ADC)、基準電壓和電源管理IC方面的建議，以實現高精度的測量。
2025-01-10
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產品化，廣泛應用于空調、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由功率芯片和具有驅動及保護功能的控制IC芯片組成。通過優化功率芯片和控制IC，預先調整了開關速度等特性。搭載驅動電路、保護電路、電平轉換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機的輸入信號直接控制，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，并實現高可靠性。另外，內置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設計變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設計時間。
2025-01-09
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意法半導體公布2024年第四季度及全年財報和電話會議時間安排
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年1月30日歐洲證券交易所開盤前公布2024年第四季度及全年財務數據。
2025-01-08
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基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
得益于固態電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過流保護限值的重要性。
2025-01-08
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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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