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安森美的1200V壓鑄模功率集成模塊系列獲中國(guó)2020年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
2020年11月9日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，宣布其1200 V壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)系列獲《21IC中國(guó)電子網(wǎng)》(21ic.com)選為2020年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2020-11-09
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如何檢測(cè)紅外發(fā)射二極管的極性及好壞？
二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（RecTIfying）”功能。
2020-11-09
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安森美的VE-Trac Dual獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)
2020年11月6日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）的VE-Trac Dual電源模塊NVG800A75L4DSC獲2020年全球電子成就獎(jiǎng) (WEAA) 電源管理/電壓轉(zhuǎn)換類創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2020-11-06
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SiC將會(huì)是分立器件和模塊共存的市場(chǎng)
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實(shí)上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電動(dòng)汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器、醫(yī)療、通信射頻。
2020-11-06
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AntMicro開源DRAM控制器添加對(duì)RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因?yàn)楦嗟挠?jì)算能力可以被封裝到越來越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實(shí)現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲(chǔ)器，Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對(duì)開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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貿(mào)澤電子新品推薦：2020年10月
2020年11月4日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。
2020-11-04
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利用光聲效應(yīng)的MEMS氣體傳感器模塊
光聲效應(yīng)（photoacoustic effect）在19世紀(jì)被發(fā)現(xiàn)，它可以將光轉(zhuǎn)換成聲音。當(dāng)物質(zhì)受到周期性強(qiáng)度調(diào)制的光照射時(shí)，產(chǎn)生聲信號(hào)的現(xiàn)象。用光照射某種媒質(zhì)時(shí)，由于媒質(zhì)對(duì)光的吸收會(huì)使其內(nèi)部的溫度改變從而引起媒質(zhì)內(nèi)某些區(qū)域結(jié)構(gòu)和體積變化；當(dāng)采用脈沖光源或調(diào)制光源時(shí)，媒質(zhì)溫度的升降會(huì)引起媒質(zhì)的體積漲縮，因而可以向外輻射聲波。這種現(xiàn)象稱為光聲效應(yīng)。
2020-11-04
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碳化硅FET推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個(gè)JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因?yàn)閂gs隨溫度線性降低。此屬性對(duì)于需要功率場(chǎng)效應(yīng)管（Sic JFET）的功率模塊應(yīng)用程序特別有用，它可以監(jiān)視其自身的運(yùn)行狀況。
2020-11-03
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GaN基電源性能的簡(jiǎn)易測(cè)試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測(cè)量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對(duì)于基于GaN的設(shè)計(jì)來說是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測(cè)量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨(dú)特特性測(cè)量交叉導(dǎo)通的簡(jiǎn)單而經(jīng)濟(jì)的方法。
2020-11-03
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簡(jiǎn)化汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功能安全認(rèn)證
合理的功能安全設(shè)計(jì)離不開嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度和大量的文檔參考，也需要投入一定的時(shí)間。無論您從事工廠車間還是公路方面的設(shè)計(jì)，此白皮書中 TI 的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)方法都會(huì)為您提供所需的資源，從而簡(jiǎn)化功能安全設(shè)計(jì)。隨著工業(yè)和汽車領(lǐng)域自動(dòng)化的出現(xiàn)，人們對(duì)功能安全的需求有增無減。
2020-11-03
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2020年中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)成功舉辦
10月30日，2020年中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“峰會(huì)”）在深圳市南山區(qū)華僑城洲際大酒店隆重召開。本次峰會(huì)由深圳市人民政府、國(guó)家“核高基”重大專項(xiàng)總體專家組、國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)主辦，以“新時(shí)期，芯生態(tài)”為主題，以創(chuàng)新共贏、開放合為理念，聚焦IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)、研討先進(jìn)特色制造和封裝工藝、探索創(chuàng)新生態(tài)體系、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用。國(guó)內(nèi)外著名院士，專家學(xué)者，技術(shù)行家和企業(yè)領(lǐng)袖匯聚一堂，覆蓋IC設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、應(yīng)用等集成電路行業(yè)上下游全鏈條，深入探討和交流，共同推動(dòng)中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
2020-11-02
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電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：噪聲和尖峰
在本文中，我們將看到一個(gè)包含噪聲和感應(yīng)負(fù)載尖峰的模擬。一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)二極管可以節(jié)省你的mosfet和你的電路。使用的主要電子軟件是LTspice，一個(gè)高性能的SPICE仿真軟件、原理圖捕捉和波形查看器，它具有增強(qiáng)功能和簡(jiǎn)化模擬電路模擬的模型。
2020-11-01
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