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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅
近幾年新能源車發展迅猛，技術創新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續航里程一直是研發技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。
2024-09-25
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態？
這要從IGBT的平面結構說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結構，MOS中的漏極D相當于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當于IGBT的發射極E，二者都會發生退飽和現象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現強反型層，形成導電溝道。
2024-08-30
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第1講：三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態。開、關狀態間變化會產生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關頻率的諧波頻率上產生 EMI。
2024-07-08
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一文了解SiC MOS的應用
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。
2024-06-20
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過集成第二代逆導型IGBT，可以實現更高的電流密度和系統能效。IM523智能功率模塊具有一個帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅動器和一個可向控制器提供模擬反饋信號的溫度監測器，從而最大限度地減少了對外部元件的需求。得益于這些特性，這個新的IPM系列的產品堪稱冰箱和洗衣機等家用電器所使用的變頻系統的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
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仿真微調：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領域，精度至關重要。仿真結果的真實性取決于各個器件所采用模型的準確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預測的可靠性與模型的精度密切相關。老話說得好，“垃圾進，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
2024-05-09
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SEMI-e 第六屆深圳國際半導體展，華為 華天 長電 上海華力等頭部企業6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會展有限公司聯合中國通信工業協會、江蘇省半導體行業協會、浙江省半導體行業協會、深圳市半導體行業協會、成都集成電路行業協會、東莞巿集成電路行業協會舉辦的SEMI-e第六屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會（簡稱：SEMI-e）將在深圳會展中心4.6.8號館盛大召開，聚焦半導體行業的各個細分領域，展示以設計、芯片、晶圓制造與封裝，半導體專用設備與零部件，先進材料，第三代半導體/IGBT，汽車半導體/車規級先進封裝技術為主的半導體產業鏈，全面展示了半導體行業的新技術、新產品、新亮點、新趨勢，構建起了半導體產業交流融合的新生態。展出面積60,000平方米，800家超高質量展商齊聚，打造華南半導體領域最具有影響力和代表性的行業盛會。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優勢對比
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產品。然而，Qorvo研發的SiC“共源共柵結構”FET器件（如圖2所示）使這項技術更進一步。這些器件基于獨特的“共源共柵結構”電路配置，將一個常開型SiC JFET器件與一個硅基MOSFET共同封裝，形成一個集成的常關型SiC FET器件。在接下來的段落中，我們將詳細闡述 Qorvo 研發的 SiC FET（共源共柵結構FET）相較于同類SiC MOSFET的顯著優勢。
2024-04-15
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如何通過SiC增強電池儲能系統？
電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。
2024-03-19
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