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CMOS電路的ESD保護結構設計
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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簡要分析晶體振蕩器的作用以及選擇要求
關于晶體振蕩器，其英文名稱為quartz crystal oscillator，也就是我們經常說的晶振，當然咯，也有將其稱為有源晶振的。它能夠產生中央處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時鐘頻率信號，CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個基礎上的，時鐘信號頻率越高，通常CPU的運行速度也就越快。
2019-07-19
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CMOS觸發(fā)器的結構與工作原理
觸發(fā)器，學名雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器（Bistable?Multivibrator），是一種應用在數字電路上具有記憶功能的循序邏輯組件，可記錄二進位制數字信號“1”和“0”。觸發(fā)器是構成時序邏輯電路以及各種復雜數字系統(tǒng)的基本邏輯單元。
2019-07-18
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四管同步升降壓變換器工作原理及設計相關問題
四管同步BuckBoost升降壓變換器為單電感結構，不需要耦合電容，盡管系統(tǒng)需要四個開關管，控制相比較復雜，但由于采用同步的變換器，系統(tǒng)的效率比SEPIC高，而且體積比SEPIC小，非常適用于汽車及通訊這類系統(tǒng)的效率和體積要求嚴格的應用。下面本文將討論這種四管同步BuckBoost升降壓變換器的具體的工作原理及設計過程的相關問題。
2019-07-12
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晶體管以類似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等。
2019-07-08
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深度解析Portable Stimulus：UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于將兩種語言進行集成。本文將列出這種集成的基本策略，以盡可能通用的語言來描述集成的六個步驟以及本文會詳細介紹前三個步驟。
2019-07-06
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交流固態(tài)繼電器的特點
交流固態(tài)繼電器ssr（solid state releys）是一種無觸點通斷電子開關，它利用電子元件（如開關三極管、雙向可控硅等半導體器件）的開關特性，可達到無觸點無火花地接通和斷開電路的目的，為四端有源器件，其中兩個端子為輸入控制端，另外兩端為輸出受控端。
2019-06-27
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一文帶你讀懂MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-05-30
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PHIIDF 2019|第一視角洞察智能產業(yè)生態(tài)
轉眼間，菲尼克斯電氣年度活動——菲尼克斯電氣創(chuàng)新與行業(yè)發(fā)展論壇PHIIDF(Phoenix Contact Innovation and Industry Development Forum)已經走過六個年頭，從最初的行業(yè)技術交流平臺，已經發(fā)展成為中國電氣和工控領域的頂級盛會。
2019-05-23
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這些只有PCB設計制造內行人才明白的黑話你知道嗎？
Test Coupon，是用來以 TDR (Time Domain Reflectometer 時域反射計) 來測量所生產的 PCB 的特性阻抗是否滿足設計的要求，一般要控制的阻抗有單端線和差分對兩種情況，所以 test coupon 上的走線線寬和線距(有差分對時)要與所要控制的線一樣，最重要的是測量時接地點的位置。
2019-05-20
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電路板設計為什么要設置測試點？
對學電子的人來說，在電路板上設置測試點(test point)是在自然不過的事了，可是對學機械的人來說，測試點是什么?
2019-05-06
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難得好資料：技術牛人功率MOS剖析
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-04-23
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