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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
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PIDA：全球光電市場2010年可望成長16%
根據光電科技工業協進會(PIDA)的分析，2009年全球光電市場持續受到全球金融風暴的影響，又從2008年的4,220億美元，大幅衰退了23%，跌到3,235億美元，可謂創下有史以來最大的跌幅；更甚于1997年的亞洲金融風暴和2000年的通訊市場泡沫化。預期全球光電市場將會于2010年反彈，成長16%；亦高于以往的成長率，然后再以10%左右逐年回升。
2010-01-26
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2013年消費電子市場將增長到3700億美元
2011年消費電子市場有望將超過2008年的高收入水平。全球經濟低迷的狀況決定了2010年將是一個恢復年，將比2009年的收入有所增加，并為進一步增加奠定基礎。據iSuppli最新報告: "Consumer Electronics Market Sees a Happier Holiday"，2010年經濟會穩固地復蘇，消費收入將從2008年的3348億美元增加到2013年的3707億美元。
2010-01-26
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風力發電技術與功率半導體器件及控制系統
美國政府和歐洲各國政府都在大力支持可持續能源的生產。2003年，美國的風力發電廠裝機總值達 16 億美元，預計到 2020 年，還將再增 10 萬 MW 的裝機容量，可滿足美國電力需求的 6%。美國還將在 Majave 沙漠的 Tehachapi 建立世界上最大的地面風力發電場。但 2002 年的數據顯示，全球 90% 的新增容量還是在歐洲。
2010-01-11
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確保打印頭電源動態輸出電壓的參考設計
本文給出了打印機電源管理的一些重要設計參數。所提供的參考設計給出了利用MAX15005電源控制器構建SEPIC電路的解決方案，能夠為打印頭提供較大動態范圍的供電電源。文中給出了電路原理圖、材料清單(BOM)、測試測量電路和結果。
2010-01-05
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未來五年OLED市場年復合成長率達44%
IntertechPira稱，全球OLED照明與顯示器市場規模，將由2008年的6.15億美元，成長至2014年的67億美元以上，五年間年復合成長率將高達44%。
2009-12-24
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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號 (LVDS) 振蕩器，擴充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩定性高達 ±25ppm，擁有業界標準封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
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CM1227：CMD推出新款PicoGuard(R) 極低電容靜電放電保護器件
California Micro Devices 宣布針對最先進的數字消費品和計算機應用推出一款超低電容靜電放電 (ESD) 裝置PicoGuard CM1227。
2009-12-17
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超寬范圍輸入的開關電源電路設計
開關電源基于自身的體積小巧和轉換效率高的特點已在電子產品中得到了廣泛的應用，特別是美國PI公司開發的TOPSwitch系列高頻開關電源集成芯片的出現，使電路設計更為標準成熟、簡潔便捷。本文的設計原理可應用在TOPSwitch系列或其它系列的電源集成芯片的耐壓擴展，有較好的應用效果。
2009-12-16
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OTB Solar和Trident協力發展太陽能工業噴霧打印技術
OTB 太陽能和Trident 太陽能近日宣布為了在太陽能市場引進降低成本的革新噴霧技術的合作關系。作為合作的一部分，Trident 太陽能公司256Jet-S?噴墨印刷將與OTB Solar公司PixDro開放式架構噴霧平臺結合在一起。預計這將包括LP50?研究，開發工具和要素（Element?）體系或全部生產系統。
2009-12-14
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Pinch：最直白的科技體驗 世界最薄燈炮
尖端的技術以最直白的方式融入生活
2009-12-08
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沖電氣數字影像推出采用異性材料接合技術的1.1英寸LED顯示器
沖電氣數字影像公司(OKI Digital Imaging)開發出了采用該公司異性材料接合技術“EFB(Epi FilmBonding)”的1.1英寸LED 顯示器。計劃在2010年底前樣品供貨。該公司稱其特點是“功耗僅為原有液晶顯示器的1/10”。該公司一直在開發采用EFB的LED顯示器。
2009-12-07
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
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