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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問(wèn)題
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路(IC)。現(xiàn)代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護(hù)措施。人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來(lái)測(cè)量器件承受ESD事件的能力的器件級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。這些測(cè)試旨在確保器件能承受器件制造和PCB裝配流程中的靜電壓力,通常在受控環(huán)境中實(shí)施。
2025-01-13
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氣相色譜傳感器解決環(huán)境監(jiān)測(cè)需求
本文概述了用于環(huán)境質(zhì)量監(jiān)測(cè)的氣相色譜傳感器系統(tǒng)的工作原理及其關(guān)鍵組件。文中將介紹氣相色譜法如何精確地分析與水和土壤污染相關(guān)的化合物,探討氣相色譜系統(tǒng)的主要組成部分,包括進(jìn)氣口、溫度控制裝置、檢測(cè)器和電源子系統(tǒng)。此外,我們還將提供低噪聲放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、基準(zhǔn)電壓和電源管理IC方面的建議,以實(shí)現(xiàn)高精度的測(cè)量。
2025-01-10
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第13講:超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開(kāi)始將DIPIPM產(chǎn)品化,廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器,以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu),由功率芯片和具有驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過(guò)優(yōu)化功率芯片和控制IC,預(yù)先調(diào)整了開(kāi)關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC(High Voltage IC),可通過(guò)CPU或微機(jī)的輸入信號(hào)直接控制,通過(guò)單電源化和消除光耦來(lái)減小電路板尺寸,并實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外,內(nèi)置BSD(Bootstrap Diode),可減少外圍元件數(shù)量。因此,DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計(jì)變得更加容易,有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
2025-01-09
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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)和電話會(huì)議時(shí)間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年1月30日歐洲證券交易所開(kāi)盤(pán)前公布2024年第四季度及全年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-01-08
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基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
得益于固態(tài)電路保護(hù),直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)(由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)供電)可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí),需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類(lèi)型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中,我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體封裝時(shí)的一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過(guò)流保護(hù)限值的重要性。
2025-01-08
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柵極驅(qū)動(dòng)器選得好,SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(chē)(EV)等。然而,市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求,以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力,使得碳化硅(SiC)MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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單個(gè)IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
電動(dòng)汽車(chē)、大型儲(chǔ)能電池組、家庭自動(dòng)化、工業(yè)和電信電源都需要將高電壓轉(zhuǎn)換為±12V,以滿足為放大器、傳感器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和工業(yè)過(guò)程控制器供電的雙極性電源軌需求。所有這些系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)之一是構(gòu)建一個(gè)緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器,它的工作溫度范圍為-40°C至+125°C,這在汽車(chē)和其他高環(huán)境溫度應(yīng)用中尤為重要。
2025-01-03
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充電器 IC 中的動(dòng)態(tài)電源路徑管理
本文討論動(dòng)態(tài)電源路徑管理 (DPPM),這是當(dāng)今常用的電源管理方案。 DPPM 控制環(huán)路根據(jù)輸入源電流的容量和負(fù)載電流的水平動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)充電電流,以獲得給定源和系統(tǒng)負(fù)載的短充電時(shí)間。借助 DPPM,即使使用深度放電的電池,一旦應(yīng)用輸入源,系統(tǒng)也可以立即獲得電源。還討論了系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)方法。
2025-01-03
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貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Bel Group旗下的Cinch Connectivity Solutions合作推出全新電子書(shū)《Understanding Harsh Environments for Electronic Design》(了解惡劣環(huán)境中的電子設(shè)計(jì))。Cinch是高品質(zhì)互連產(chǎn)品和定制解決方案的知名供應(yīng)商,其產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于滿足工業(yè)、航空航天、國(guó)防、5G和IoT等市場(chǎng)對(duì)惡劣環(huán)境應(yīng)用的需求。
2025-01-02
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機(jī)電繼電器的特性及其在信號(hào)切換中的選型和應(yīng)用
本文介紹了機(jī)電繼電器(EMR)在信號(hào)切換中的應(yīng)用,強(qiáng)調(diào)了其出色的導(dǎo)通和關(guān)斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來(lái)的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產(chǎn)品為例,介紹了如何選擇和應(yīng)用 EMR,包括繼電器類(lèi)型、區(qū)別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過(guò)程控制傳感器,例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋,都需要的偏置電流。通過(guò)添加單個(gè)電流設(shè)置電阻器 R 1,您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源(圖 1 )。然而,信號(hào)源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ,并影響測(cè)量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過(guò)常用電壓基準(zhǔn) IC 精度的高精度電阻,但基準(zhǔn)電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準(zhǔn)的溫度敏感性和輸出電壓誤差,但對(duì)電源變化的敏感性可能會(huì)影響其精度,特別是在必須在較寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的過(guò)程控制應(yīng)用中。
2024-12-31
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化:CTSD如何重塑現(xiàn)代信號(hào)鏈架構(gòu)
- 【車(chē)內(nèi)消費(fèi)類(lèi)接口測(cè)試】泰克助力DisplayPort及eDP在車(chē)載顯示領(lǐng)域的應(yīng)用
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