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挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴(kuò)大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺的創(chuàng)新設(shè)計(jì)證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動(dòng)態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導(dǎo)’為結(jié)溫危機(jī)，并拆解工業(yè)級解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
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拓?fù)鋬?yōu)化：解鎖電池供電設(shè)備高效設(shè)計(jì)密碼
隨著電池供電設(shè)備變得越來越普及，快速充電對于提升此類設(shè)備的便利性至關(guān)重要。本文討論了設(shè)計(jì)高效電池充電系統(tǒng)時(shí)必須考慮的標(biāo)準(zhǔn)，介紹了較為常用的拓?fù)洌㈥U述了安森美 (onsemi) 的功率半導(dǎo)體如何助力實(shí)現(xiàn)高性能方案。
2025-05-23
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。
2025-04-08
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安森美攜新款智能圖像感知方案亮相Vision China（上海）2025
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON) 將攜新款圖像感知技術(shù)及方案亮相于3月26 - 28日在上海新國際博覽中心舉辦的中國（上海）機(jī)器視覺展暨機(jī)器視覺技術(shù)及工業(yè)應(yīng)用研討會 (Vision China 2025)，展位號為W4-No.4317。
2025-03-20
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點(diǎn)。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實(shí)用的設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則。接下來，文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-06
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安森美與電裝（DENSO）加強(qiáng)合作關(guān)系
安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON）和一級汽車供應(yīng)商（tier-one）株式會社電裝（DENSO CORPORATION，以下簡稱“電裝”）宣布加強(qiáng)在自動(dòng)駕駛（AD）和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）技術(shù)方面的長期合作關(guān)系。
2024-12-19
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安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術(shù)，強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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安森美與伍爾特電子攜手升級高精度電力電子應(yīng)用虛擬設(shè)計(jì)
安森美 (onsemi) 和伍爾特電子（Würth Elektronik）宣布，伍爾特電子的無源元件數(shù)據(jù)庫已集成到安森美獨(dú)特的 PLECS? 模型自助生成工具 (SSPMG) 中。SSPMG 是基于 Web 的平臺，界面直觀、簡單易用，能夠幫助工程師針對復(fù)雜的電力電子應(yīng)用定制高精度、高保真 PLECS 模型，從而盡早發(fā)現(xiàn)和修復(fù)設(shè)計(jì)過程中的性能瓶頸。而伍爾特電子的無源系統(tǒng)元件的集成，進(jìn)一步提高了 SSPMG 中開關(guān)損耗模型的精度。
2024-11-14
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憑借超低功耗圖像傳感器系列，安森美榮獲AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），宣布其Hyperlux LP圖像傳感器獲得全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore頒發(fā)的2024全球電子成就獎(jiǎng)(以下簡稱“WEAA”)之傳感器類別年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。此獎(jiǎng)項(xiàng)是對安森美在智能圖像感知領(lǐng)域領(lǐng)先地位的認(rèn)可，更突顯了其在推動(dòng)工業(yè)和消費(fèi)類相機(jī)創(chuàng)新方面的實(shí)力。
2024-11-08
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高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型，一文告訴您
電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評估 ，并介紹其典型的應(yīng)用市場與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。
2024-10-30
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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