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CMOS有源晶振電壓特性與精準測量指南
CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設計確保了數字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標準要求Voh≥3.2V（3.3V供電時），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準測量
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IO-Link技術賦能智能工廠傳感器跨協議通信實戰指南
在工業4.0浪潮席卷全球制造業的今天，智能工廠建設正面臨前所未有的技術挑戰。當生產線需要同時兼容Profinet、EtherCAT、Modbus等多種工業協議時，傳統專用型傳感器已難以滿足柔性制造需求。本文將深度解析如何打造具備"網絡無關性"的智能傳感器，通過模塊化設計實現溫度、壓力等物理量的精準采集與...
2025-05-29
現場總線 智能工廠傳感器 IO-Link技術
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Arm 生態系統：從云端到邊緣全面驅動 AI
人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們日常生活中不可或缺的一部分。Arm 計算平臺正處于這場變革的核心。基于 Arm 架構的芯片出貨量迄今已累計超過
2025-05-28
Arm 生態
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電容選型避坑手冊：參數、成本與場景化適配邏輯
電容器是一種通過電場儲存電荷的無源元件，其基本結構由兩個導體極板和中間的絕緣介質（電介質）組成。當兩極板施加電壓時，正負電荷在極板上積累，形成電場儲能。電容值（C）由極板面積（A）、極板間距（d）和電介質介電常數（ε）決定。
2025-05-27
電容
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小體積大能量：陶瓷電容技術全解析：定義、原理與市場格局
陶瓷電容是以陶瓷介質為核心，通過金屬電極層疊或涂覆形成的無源電子元件。其核心原理基于陶瓷介質的極化效應：當施加電壓時，陶瓷介質內部的正負電荷發生位移，形成電場儲存電能；斷開電源后，電荷釋放供給電路。
2025-05-27
陶瓷電容
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線繞電阻與可調電阻技術對比及選型指南
線繞電阻與可調電阻雖同屬電阻范疇，但設計目標、結構特性及適用場景存在顯著差異。
2025-05-27
線繞電阻 可調電阻
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全球熱管理巨頭煥新啟航：萊爾德熱系統正式更名Tark Thermal Solutions
全球熱管理行業領導者萊爾德熱系統（Laird Thermal Systems）宣布正式更名為 塔克熱系統（Tark Thermal Solutions） 。此次更名源于原有名稱許可協議到期，旨在通過全新品牌形象強化企業市場定位，更好地彰顯公司在主動式熱管理領域60余年的技術積淀與解決方案領導力。新名稱與品牌視覺體系的啟用，...
2025-05-27
熱管理 萊爾德熱系統 塔克熱系統 Tark Thermal Solutions
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