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GSA任命瑞薩電子CEO柴田英利擔(dān)任其董事會成員
2020 年 11 月 5 日，美國加利福尼亞州圣何塞和日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（GSA）與瑞薩電子集團（TSE：6723）在期待半導(dǎo)體行業(yè)穩(wěn)步增長的同時也正經(jīng)歷著前所未有的一年。今日，GSA宣布擴大其董事會，任命瑞薩電子總裁兼CEO柴田英利為董事會成員。
2020-11-05
GSA 瑞薩電子 柴田英利 董事會成員
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選擇嵌入式視覺攝像頭需考慮哪些方面
功能強大的精簡型單板計算機的推出催生了令人興奮的新產(chǎn)品設(shè)計。在通過小型化優(yōu)化成本及（或）效率的應(yīng) 用中，它的效用尤為明顯。另外，視覺系統(tǒng)可以利用功能全面的板級機器視覺攝像頭進一步縮小產(chǎn)品總體尺寸 并實現(xiàn)運行靈活性，同時還支持定制或非標準光學(xué)部件。
2020-11-05
嵌入式視覺 視覺攝像頭
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十年磨一劍，“柔性MEMS”獨創(chuàng)技術(shù)賦能多維人機/物機交互應(yīng)用創(chuàng)新
十年前，他作為“唯二”的特區(qū)特聘“柔性技術(shù)專家”從海外回到深圳，開啟了將先進科研成果進行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的低調(diào)創(chuàng)業(yè)之路。十年后，其首創(chuàng)的“柔性MEMS”產(chǎn)品已出貨5000萬套，以材料技術(shù)結(jié)合應(yīng)用創(chuàng)新，開啟了壓感技術(shù)賦能多維融合人機/物機交互創(chuàng)新未來的廣闊前景！
2020-11-05
柔性MEMS 人機/物機交互 應(yīng)用
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升降壓DC/DC TPS63810在TWS耳機里的應(yīng)用
隨著近幾年TWS耳機的爆發(fā)式增長，越來越多的終端客戶對TWS耳機的體積，續(xù)航，音質(zhì)等提出了更高的要求。以下我們從續(xù)航的角度給大家推薦TI最新的解決方案。圖一是一個典型的TWS耳機電源框圖，用一顆Iq（靜態(tài)電流）低至600nA的升壓芯片TPS61099將電池電壓升到5V同時給兩個耳機端供電。耳機端電池電壓...
2020-11-05
DC/DC TPS63810 TWS耳機
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運算放大器的串聯(lián)：如何同時實現(xiàn)高精度和高輸出功率
工程師常常面對各種挑戰(zhàn)，需要不斷開發(fā)新應(yīng)用，以滿足廣泛的需求。一般來說，這些需求很難同時滿足。例如一款高速、高壓運算放大器（運放），同時還具有高輸出功率，以及同樣 出色的直流精度、噪聲和失真性能。市面上很少能見到兼具所有這些特性的運算放大器。但是，您可以使用兩個單獨的放大器來構(gòu)...
2020-11-05
運算放大器 串聯(lián) 高精度 高輸出功率
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貿(mào)澤電子新品推薦：2020年10月
2020年11月4日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。
2020-11-04
貿(mào)澤電子 新品 連接器
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串聯(lián)RLC電路原理和應(yīng)用
電阻（R）、電感器（L）和電容器（C）是電子學(xué)的三個基本無源元件。它們的特性和行為已經(jīng)在交流電阻、交流電感和交流電容中詳細介紹過教程本文將重點討論這三個元件的串聯(lián)組合，稱為串聯(lián)RLC電路。首先，介紹了三種本構(gòu)元件的交流特性，并簡要介紹了RLC電路。
2020-11-04
串聯(lián) RLC電路 原理 應(yīng)用
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高速轉(zhuǎn)換器應(yīng)用指南：數(shù)字數(shù)據(jù)輸出
設(shè)計人員有各種模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)可以選擇，數(shù)字數(shù)據(jù)輸出類型是選擇過程中需要考慮的一項重要參數(shù)。目前，高速轉(zhuǎn)換器三種最常用的數(shù)字輸出是互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差分信號(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。ADC中每種數(shù)字輸出類型都各有優(yōu)劣，設(shè)計人員應(yīng)根據(jù)特定應(yīng)用仔細考慮。這些因素取決于AD...
2020-11-04
高速轉(zhuǎn)換器 應(yīng)用指南 數(shù)字數(shù)據(jù)
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GaN基電源性能的簡易測試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關(guān)鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管...
2020-11-03
GaN晶體管 電源性能 測試技術(shù)
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