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功率半導(dǎo)體：強(qiáng)化設(shè)計(jì)能力 尋求中高端突破
功率半導(dǎo)體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來(lái)，隨著功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展到4C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)與國(guó)防建設(shè)的各個(gè)方面。我國(guó)擁有國(guó)際上最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，擁...
2009-12-25
功率器件 開關(guān) 功率二極管 高端
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GP2AP012A00F:夏普開發(fā)出集成有可檢測(cè)0.1lx低照度的照度傳感器
夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點(diǎn)是可檢測(cè)0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產(chǎn)品可檢測(cè)的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。
2009-12-25
夏普 集成 低照度 照度傳感器
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電磁兼容實(shí)驗(yàn)室需要的儀器
產(chǎn)品必須符合EMC("電磁兼容)要求，歐洲規(guī)定：銷售違反電磁兼容法令(89/336/EEC)的產(chǎn)品將面臨高額罰款，因此，商家越來(lái)越重視產(chǎn)品的電磁兼容性問(wèn)題，為了降低成本，要根據(jù)公司需求和規(guī)模的不同，組建一個(gè)EMC實(shí)驗(yàn)室，本文介紹建設(shè)公司內(nèi)部EMC測(cè)試設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)和方法。
2009-12-25
電磁兼容 測(cè)試儀器 EMC
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Si85xx：Silicon Labs推出下一代交流電流傳感器系列
高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories今日推出下一代交流電流傳感器系列，可取代傳統(tǒng)的電流變壓器。
2009-12-24
Si85xx Silicon 交流電流傳感器 變壓器
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傳感器儀表元器件發(fā)展分析
傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動(dòng)化系統(tǒng)最基礎(chǔ)元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務(wù)面廣、品種繁多、需求量大等特點(diǎn)，其技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，將為我國(guó)制造業(yè)信息化奠定基礎(chǔ)。
2009-12-24
傳感器 儀表 元器件 MEMS
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2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望
2008年下半年，國(guó)際金融風(fēng)暴席卷全球，以出口為主導(dǎo)的中國(guó)大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進(jìn)出口受阻，導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國(guó)政府及時(shí)實(shí)行積極的財(cái)政政策，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，努力擴(kuò)大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個(gè)別月份有所波動(dòng)，但回升趨勢(shì)...
2009-12-24
電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧 展望
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IR11672A：IR為節(jié)能AC-DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)智能型整流器
國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件為節(jié)能AC-DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，擁有先進(jìn)的最小導(dǎo)通時(shí)間 (MOT)保護(hù)電路，適用于筆記本型電腦、LCD和PDP電視、游戲機(jī)，以及服務(wù)器和通信開關(guān)電源 (SMPS) 。
2009-12-24
IR IR11672A AC-DC 電源轉(zhuǎn)換器 整流器
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Toshiba-components推出低導(dǎo)通電阻 快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET
新產(chǎn)品包括5個(gè)N溝道MOSFET和1個(gè)MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設(shè)計(jì)人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...
2009-12-24
東芝 低導(dǎo)通電阻 快速轉(zhuǎn)換 MOSFET
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Gartner：全球半導(dǎo)體設(shè)備將增長(zhǎng)45%
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動(dòng)了2009下半年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)，2010年的增長(zhǎng)主要將由上半年技術(shù)升級(jí)的帶動(dòng)，2010年第3季單季增長(zhǎng)率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設(shè)備產(chǎn)業(yè)預(yù)期自2010年底起將一路大幅增長(zhǎng)至2011年。
2009-12-24
Gartner 全球 半導(dǎo)體 增長(zhǎng)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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