- 美物理學(xué)家研制出首個(gè)高溫自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 將給半導(dǎo)體納米電子學(xué)和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來新氣象
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)得克薩斯A&M大學(xué)物理學(xué)家杰羅·斯納夫領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)國(guó)際科研小組在出版的《科學(xué)》雜志上宣布，他們研制出了首個(gè)能在高溫下工作的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），該設(shè)備由電力控制，其功能基于電子的自旋，其中包含一個(gè)與門邏輯設(shè)備。新突破將給半導(dǎo)體納米電子學(xué)和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來新氣象。
英國(guó)日立劍橋?qū)嶒?yàn)室、劍橋大學(xué)、諾丁漢大學(xué)、捷克科學(xué)院和查爾斯大學(xué)的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異常霍爾效應(yīng)結(jié)合在一起，制造出了這種自旋FET，其中包括一個(gè)與門邏輯設(shè)備，自旋FET的概念于1989年首次提出，這是科學(xué)家首次在其中實(shí)現(xiàn)與門邏輯設(shè)備。
