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    首個高溫自旋場效應晶體管誕生

    發布時間:2011-01-04 來源:中國科學技術部

    新聞事件:
    • 美物理學家研制出首個高溫自旋場效應晶體
    事件影響:
    • 將給半導體納米電子學和信息技術領域帶來新氣象

    據美國物理學家組織網報道,美國得克薩斯A&M大學物理學家杰羅·斯納夫領導的一個國際科研小組在出版的《科學》雜志上宣布,他們研制出了首個能在高溫下工作的自旋場效應晶體管(FET),該設備由電力控制,其功能基于電子的自旋,其中包含一個與門邏輯設備。新突破將給半導體納米電子學和信息技術領域帶來新氣象。

    英國日立劍橋實驗室、劍橋大學、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾斯大學的研究人員首次將自旋—螺旋狀態和異常霍爾效應結合在一起,制造出了這種自旋FET,其中包括一個與門邏輯設備,自旋FET的概念于1989年首次提出,這是科學家首次在其中實現與門邏輯設備。
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