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電源設(shè)計(jì)器件布局和布線要點(diǎn)
在電源設(shè)計(jì)中，精心的布局和布線對于能否實(shí)現(xiàn)出色設(shè)計(jì)至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗(yàn)，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。
2022-09-26
電源設(shè)計(jì) 布局
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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片
SGM38045 是圣邦微電子重點(diǎn)推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 電源芯片
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MEMS麥克風(fēng)已成消費(fèi)市場的主流產(chǎn)品選擇
麥克風(fēng)已經(jīng)是眾多電子產(chǎn)品中內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)器件，從可穿戴設(shè)備到家庭助理，越來越多的設(shè)備被要求“聽到”它們的環(huán)境，并隨之做出相對的反應(yīng)。本文將全面概述麥克風(fēng)類型和基本原理，以及CUI Devices微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)的產(chǎn)品特性。
2022-08-29
MEMS麥克風(fēng) 消費(fèi)市場
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在開關(guān)模式電源中，當(dāng)脈沖被忽略時...
即使是具有固定開關(guān)頻率的開關(guān)電源，也并非總是顯示連續(xù)的脈沖。在某些情況下，由于各種原因，脈沖會被忽略。在考慮輸出紋波電壓和EMI效應(yīng)時，這一點(diǎn)非常重要。
2022-08-29
開關(guān)電源 脈沖 穩(wěn)壓器
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用萬用表測試LED，有哪些注意事項(xiàng)？
LED（發(fā)光二極管）是一種半導(dǎo)體二極管（一種p-n結(jié)），可在正電流從LED陽極流向陰極時發(fā)光。陽極表示為“+”，即二極管的正極。陰極表示為“-”，即二極管的負(fù)極。
2022-08-19
萬用表 測試 LED
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如何抑制開關(guān)電源的輸出紋波？
在開關(guān)電源中，穩(wěn)定直流信號中交流紋波的疊加通常都是工程師苦惱的問題，那么我們?nèi)绾蝸頊p小和抑制紋波噪聲呢？
2022-08-17
抑制 開關(guān)電源 輸出紋波
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貿(mào)澤電子與Advanced Photonix簽訂全球分銷協(xié)議
2022年8月8日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與OSI Optoelectronics旗下Advanced Photonix簽訂全球分銷協(xié)議。Advanced Photonix是創(chuàng)新型光子學(xué)、光電子學(xué)產(chǎn)品和先進(jìn)電子系統(tǒng)的知名供應(yīng)商，服務(wù)于當(dāng)今需要高可靠性、高性能技術(shù)解決方案的航...
2022-08-08
貿(mào)澤電子 Advanced Photonix 光電二極管
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由原電池供電的遠(yuǎn)程患者監(jiān)護(hù)儀的電源設(shè)計(jì)要素
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)革命，使醫(yī)療機(jī)構(gòu)實(shí)時護(hù)理患者的方式發(fā)生了范式轉(zhuǎn)變。其中，遠(yuǎn)程患者監(jiān)測，是當(dāng)前新型醫(yī)療設(shè)備改變醫(yī)患互動方式的重要領(lǐng)域。隨著集成電路微觀化、無線技術(shù)演進(jìn)，傳統(tǒng)醫(yī)療設(shè)備舊貌換新顏，功能獲得增強(qiáng)，患者的依從性和療效逐步提高。
2022-08-03
電池供電 監(jiān)護(hù)儀 電源設(shè)計(jì)
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動技術(shù)中的死區(qū)時間納米級調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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