- 功率電晶體平均銷售價(jià)格會(huì)出現(xiàn)些微下滑的跡象
- 2011年功率電晶體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)131億美元
- 間離散式 IGBT 電晶體的CAGR預(yù)測(cè)為6.5%，營(yíng)收規(guī)模在2015年可達(dá)12億美元
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測(cè)，全球功率電晶體(power transistors)市場(chǎng)2011年將達(dá)到131億美元營(yíng)收規(guī)模，較2010年成長(zhǎng)9%；該市場(chǎng)在 2010年的成長(zhǎng)率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力，來(lái)自汽車、可攜式產(chǎn)品、替代能源與省電設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域。
不過 IC Insights 也指出，功率電晶體平均銷售價(jià)格會(huì)出現(xiàn)些微下滑的跡象；該市場(chǎng) 2011年全球出貨量預(yù)期可成長(zhǎng)11%，達(dá)到588億顆的新高紀(jì)錄，主要得益於該元件在汽車電子、新一代再生能源系統(tǒng)、電池供電可攜式產(chǎn)品，以及各類設(shè)備運(yùn)用的高效率電源供應(yīng)器應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)於平均水準(zhǔn)的銷售表現(xiàn)。
在功率電晶體市場(chǎng)中，內(nèi)建IGBT之模組銷售金額，預(yù)期可在 2011年成長(zhǎng)10%，達(dá)到25億美元規(guī)模；同時(shí)間IGBT電晶體元件與功率 FET什么是FET? 市場(chǎng)，則預(yù)測(cè)可成長(zhǎng)9%，分別達(dá)到9.6億美元與69億美元的營(yíng)收規(guī)模。
2011年功率電晶體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)131億美元
2011年功率電晶體市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)測(cè)
根據(jù)IC Insight的預(yù)測(cè)，整體功率電晶體市場(chǎng)營(yíng)收將在2010至2015年間，取得6.4%的復(fù)合年平均成長(zhǎng)率(CAGR)，在2015年達(dá)到163億美元規(guī)模；同時(shí)期低電壓(200V以下)功率FET市場(chǎng)CAGR為6.7%，到2015年?duì)I收規(guī)模可達(dá)164億美元。
IGBT模組在2010~2015年間的CAGR預(yù)測(cè)為7.0%，在2015年達(dá)到32億美元營(yíng)收規(guī)模；同期間離散式 IGBT 電晶體的CAGR預(yù)測(cè)為6.5%，營(yíng)收規(guī)模在2015年可達(dá)12億美元。
