- 功率電晶體平均銷售價格會出現(xiàn)些微下滑的跡象
- 2011年功率電晶體市場規(guī)模將達131億美元
- 間離散式 IGBT 電晶體的CAGR預測為6.5%，營收規(guī)模在2015年可達12億美元
市場研究機構IC Insights預測，全球功率電晶體(power transistors)市場2011年將達到131億美元營收規(guī)模，較2010年成長9%；該市場在 2010年的成長率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場的成長動力，來自汽車、可攜式產品、替代能源與省電設備等應用領域。
不過 IC Insights 也指出，功率電晶體平均銷售價格會出現(xiàn)些微下滑的跡象；該市場 2011年全球出貨量預期可成長11%，達到588億顆的新高紀錄，主要得益於該元件在汽車電子、新一代再生能源系統(tǒng)、電池供電可攜式產品，以及各類設備運用的高效率電源供應器應用領域，優(yōu)於平均水準的銷售表現(xiàn)。
在功率電晶體市場中，內建IGBT之模組銷售金額，預期可在 2011年成長10%，達到25億美元規(guī)模；同時間IGBT電晶體元件與功率 FET什么是FET? 市場，則預測可成長9%，分別達到9.6億美元與69億美元的營收規(guī)模。
2011年功率電晶體市場規(guī)模將達131億美元
2011年功率電晶體市場營收預測
根據(jù)IC Insight的預測，整體功率電晶體市場營收將在2010至2015年間，取得6.4%的復合年平均成長率(CAGR)，在2015年達到163億美元規(guī)模；同時期低電壓(200V以下)功率FET市場CAGR為6.7%，到2015年營收規(guī)模可達164億美元。
IGBT模組在2010~2015年間的CAGR預測為7.0%，在2015年達到32億美元營收規(guī)模；同期間離散式 IGBT 電晶體的CAGR預測為6.5%，營收規(guī)模在2015年可達12億美元。
