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    MGFC50G5867/MGFC47G5867:三菱電機推出最高功率GaN HEMT功率放大器

    發布時間:2011-12-05 來源:三菱電機

    產品特性:

    • 大功率、高效率
    • 低失真特性

    應用范圍:

    • C波段衛星通信地面站


    三菱電機株式會社宣布研發出兩款用于C波段※1衛星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ,擁有100W和50W的業屆最高輸出※5功率,樣品從2012年1月10日開始提供。
    ※1 頻率4 GHz~8GHz的微波
    ※2 衛星通信時設置在地面的基站
    ※3 Gallium Nitride:氮化鎵
    ※4 High Electron Mobility Transistor:高電子遷移率晶體
    ※5 截至2011年11月29日,根據本公司調查。在衛星通信地面站用的GaN HEMT中

    新產品的特點 

    1.大功率、高效率有助于功率放大器的小型化
    ?采用耐壓性能卓越的GaN,可在40V的高電壓下工作
    ?大功率,輸出功率分別達到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)
    ?高效率,功率附加效率※6達到43%以上
    ※6 供電功率轉換為輸出功率時的效率。數值越高,效率越佳。

    2.低失真特性有助于提高信號質量
    ?輸出功率為40W(46dBm)時IM3※7=-25dBc,實現低失真特性(MGFC50G5867)
    ※ 7 Inter Modulation:當2個信號同時輸入到放大器時產生的失真現象。數值越低,性能越佳。

    主要規格

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