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BMS與新型電池技術(shù)化解“里程焦慮”
新能源汽車市場(chǎng)爆發(fā)，但“里程焦慮”始終是困擾車主的最大問(wèn)題之一，其具體表現(xiàn)為續(xù)航虛標(biāo)、充電速度慢以及冬季里程縮水等。在國(guó)內(nèi)，從2014/2015年開(kāi)始，新能源汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展期。解決里程焦慮是產(chǎn)業(yè)主要的發(fā)展目標(biāo)之一，隨著充電樁、換電站等基礎(chǔ)設(shè)施不斷完善，消費(fèi)者對(duì)新能源汽車的接受度不斷...
2023-01-28
BMS 電池技術(shù)
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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動(dòng)汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對(duì) Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)洹⑾到y(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
汽車應(yīng)用 功率模塊 仿真
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，SiC ...
2023-01-27
SiC MOSFET 溝槽柵
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簡(jiǎn)化隔離式軟件可配置I/O通道設(shè)計(jì)的高集成度、系統(tǒng)級(jí)方法
本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數(shù)據(jù)解決方案，該解決方案有助于應(yīng)對(duì)系統(tǒng)級(jí)工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。本文闡述了在設(shè)計(jì)單個(gè)IC時(shí)從系統(tǒng)級(jí)角度進(jìn)行思考的優(yōu)勢(shì)，并重點(diǎn)討論了建議解決方案的功耗優(yōu)化功能。
2023-01-27
I/O 隔離電源 ADI
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MCU解決800V電動(dòng)汽車牽引逆變器的常見(jiàn)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的3種方式
電動(dòng)汽車 (EV) 牽引逆變器是電動(dòng)汽車的核心。它將高壓電池的直流電轉(zhuǎn)換為多相（通常為三相）交流電以驅(qū)動(dòng)牽引電機(jī)，并控制制動(dòng)產(chǎn)生的能量再生。電動(dòng)汽車電子產(chǎn)品正在從 400V 轉(zhuǎn)向 800V 架構(gòu)，這有望實(shí)現(xiàn)：
2023-01-20
MCU 電動(dòng)汽車 牽引逆變器
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SIMO PMIC：為可穿戴設(shè)備電源設(shè)計(jì)打開(kāi)方便之窗！
我們生活在一個(gè)被電子設(shè)備包裹的時(shí)代，這些設(shè)備使我們的學(xué)習(xí)、工作、鍛煉、旅行和交流等變得非常方便，尤其是可穿戴設(shè)備正在成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧Ｔ卺t(yī)療應(yīng)用中，可穿戴設(shè)備可用于監(jiān)測(cè)心率、血壓、血氧水平、運(yùn)動(dòng)中燃燒的卡路里、睡眠跟蹤等。為了提供更好的用戶體驗(yàn)，高性能、小尺...
2023-01-20
SIMO PMIC 可穿戴設(shè)備 電源設(shè)計(jì)
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使用RX單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源控制的示例
作為使用RX單片機(jī)進(jìn)行逆變器控制的應(yīng)用，以UPS為例對(duì)基于MCU的電源控制可行性進(jìn)行介紹。RX-T系列主要應(yīng)用于空調(diào)室外機(jī)和工業(yè)逆變器，在逆變器控制領(lǐng)域享有盛譽(yù)。近年來(lái)，還廣泛用于UPS、太陽(yáng)能逆變器和EV充電器等電源控制應(yīng)用中。本次以UPS電源控制應(yīng)用為例，對(duì)基于MCU實(shí)現(xiàn)的電源控制進(jìn)行介紹。UPS...
2023-01-19
RX單片機(jī) 數(shù)字電源控制
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垂直供電助力尖端數(shù)據(jù)處理
隨著先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的出現(xiàn)，高性能人工智能 (AI) 處理器的功率不斷上升，內(nèi)核電壓則在不斷下降。這些發(fā)展給電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)很大挑戰(zhàn)，例如需要管理因?yàn)楣╇娋W(wǎng)絡(luò) (PDN) 阻抗壓降不斷上升的而引起大電流低電壓處理器電源引腳間的電壓梯度、瞬態(tài)性能規(guī)格以及功耗等難題。
2023-01-19
PDN 數(shù)據(jù)處理 AI
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瞬態(tài)事件如何影響LDO的動(dòng)態(tài)性能？
有兩種瞬態(tài)響應(yīng)。首先，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)?shù)蛪航捣€(wěn)壓器(LDO)提供的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)，在LDO輸出端出現(xiàn)過(guò)沖或下沖。第二，線路瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)連接的電壓在LDO輸入端發(fā)生變化時(shí)，在LDO輸出端發(fā)生過(guò)沖或下沖，具有不同的波形。
2023-01-17
瞬態(tài)事件 LDO 動(dòng)態(tài)性能
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