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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯手發布全新電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續性方面的優勢，以及發揮這些優勢所面臨的挑戰。
2024-12-03
貿澤電子 Analog Devices Bourns 電子書
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學測試方案詳解
使用電壓表或SMU源表等測試設備（如數字多用表的電壓測量檔等），將電壓表的探頭與纖維電學器件的兩個輸出電極相連接，確保連接牢固且接觸良好，以減少接觸電阻對測量結果的影響。當纖維電學器件處于工作狀態（如受到特定刺激，像壓電纖維器件受到外力作用、光電器件受到光照等）或在特定的電路環境...
2024-12-02
纖維器件 電學測試
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優化實時控制系統中的系統故障檢測
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經網絡處理單元 (NPU) 運行卷積神經網絡 (CNN) 模型，幫助在監測系統故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優化系統設計，同時增強整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實時控制系統
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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優化簡易PCB電路板的大規模測試，提高生產效率
隨著各行業對高效完成大批量生產的需求日益增強，構建穩健的測試策略也變得至關重要。此篇是德科技署名文章旨在深入探討簡易電路板生產制造領域中適用的創新測試方法，力求在保障質量的前提下，實現生產效率的最優化。
2024-12-02
PCB 電路板
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貿澤推出RISC-V技術資源中心 探索開源的未來
貿澤電子推出內容豐富的RISC-V資源中心，為設計工程師提供新技術和新應用的相關知識。隨著開源架構日益普及，RISC-V從眾多選項中脫穎而出，成為開發未來先進軟硬件的新途徑。從智能手機和IoT設備，再到高性能計算，RISC-V正在各行各業中發展成為更主流的指令集架構 (ISA)。
2024-12-02
貿澤 RISC-V技術
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