引言

 

下變頻器是接收系統(tǒng)中的核心部件，接收系統(tǒng)需要把高頻信號用下變頻器轉(zhuǎn)換到低頻，便于后級進行信號處理。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，單片微波集成電路(MMIC) 突破傳統(tǒng)的混合微波集成電路(MIC)快速發(fā)展起來。MMIC 芯片尺寸小，寄生參數(shù)少，具有優(yōu)秀的高頻性能。MMIC 芯片的大規(guī)模運用已成為微波組件小型化的重要途徑之一  。變頻器也向著小型化、高集成、低成本的方向發(fā)展。

 

 

本文介紹一種高幅相一致6 ～18 GHz 下變頻器的設(shè)計方案和測試結(jié)果，該組件采用毫米波變頻方案，幅度和相位都可以數(shù)控調(diào)節(jié)。組件的噪聲系數(shù)優(yōu)于 6 dB，無虛假動態(tài)范圍大于 50 dB，組件之間幅度一致性優(yōu)于±2 dB，相位一致性優(yōu)于±15°。組件內(nèi)部采用多功能芯片，多功能芯片集成了混頻器、倍頻器、低噪聲放大器以及開關(guān)。本組件體積小，集成度高，調(diào)試簡單，可以滿足工程應(yīng)用的需求。

 

1 下變頻器方案設(shè)計

 

寬帶下變頻器設(shè)計要點是在確保噪聲系數(shù)的基礎(chǔ)上，避免帶內(nèi)及近邊帶雜散和虛假信號的產(chǎn)生。根據(jù)下變頻的原理，一個變頻器的雜散水平主要取決于以下兩點:

 

①射頻帶寬和中頻頻率的比值;

②射頻相對帶寬。具體來說，射頻濾波器組的通道帶寬應(yīng)盡可能窄，并且要盡量提高中頻的頻率。

 

下變頻器的噪聲系數(shù)主要取決于射頻前端的增益，較高的前端增益有利于改善噪聲系數(shù); 但是前端增益越大，進入混頻器的信號功率也會增大，容易引起雜散和虛假指標的惡化。在本方案里，可以根據(jù)射頻頻率碼來統(tǒng)籌設(shè)置射頻和中頻的衰減值;即總增益保持一定的情況下，在噪聲系數(shù)、虛假和雜散指標之間尋求一個最佳平衡。

 

本方案中，考慮到成本和體積，6 ～18 GHz 射頻信號經(jīng)過開關(guān)濾波器組劃分為 8 個通道。如圖 1 所示，變頻選擇毫米波本振方案，先將6 ～18 GHz 變頻至 20 GHz 以上的高中頻(HIF1 和 HIF2)，再下變頻到低中頻。為確保第一次變頻后的射頻二次諧波不落進帶內(nèi)，6 ～12． 5 GHz 和 11． 5 ～18 GHz 分別變換至 27 GHz(HIF1)和 21 GHz(HIF2)高中頻，對應(yīng)的一本振 LO1 頻率為 33 ～39 GHz。第二次變頻選擇兩個點頻作為二本振 LO2，最終獲得 1． 8 GHz 中頻，瞬時處理帶寬為 1 GHz。本方案中，所有的頻率都不超過 40 GHz，以目前的器件水平都比較易于實現(xiàn)。

 

圖 1 變頻方案

 

一次混頻雜散計算如圖 2 所示，其中 m 和 n 分別表示射頻和本振的階數(shù)?？梢钥闯?，帶內(nèi)及近邊帶沒有小于 3 階的低階雜散。

 

圖 2 一次混頻雜散分布

 

二次混頻雜散如圖 3 所示，只有中頻的二次諧波和三次諧波組合會落入近邊帶，混頻器對這些高階組合的抑制度可以確保虛假和雜散指標。

 

圖 3 二次混頻雜散分布

 

上述論證分析表明該變頻方案有效地避開了帶內(nèi)低次雜散。

 

2 具體電路實現(xiàn)

 

電路劃分為三部分:射頻前端，變頻電路，中頻電路。下面分別介紹這三部分的電路細節(jié)。

 

2.1 射頻前端

 

射頻前端部分由低噪聲放大器、數(shù)控衰減器以及 MEMS 開關(guān)濾波網(wǎng)絡(luò)組成，如圖 4 所示。兩級數(shù)控衰減器，可以將 40 dB 線性動態(tài)范圍擴展為 75 dB全局動態(tài)范圍。射頻前端的設(shè)計增益為 14 dB，噪聲系數(shù)為 4 dB，輸入 1 dB 壓縮點為－16 dBm。這里的設(shè)計應(yīng)盡量提高射頻前端的 1 dB 壓縮點，以減小多信號交調(diào)，提高系統(tǒng)對多信號的線性處理能力。

 

圖 4 射頻前端電路

 

2.2 變頻單元

 

變頻 單 元 主 要 由 兩 級 多 功 能 芯 片 CHIP1、CHIP2 和兩路濾波器組成，如圖 5 所示。第一級多功能芯片 CHIP1 集成了混頻器、倍頻器、單刀雙擲開關(guān)、帶通濾波器以及放大器。第二級多功能芯片CHIP2 集成了混頻器、單刀雙擲開關(guān)、移相器以及本振驅(qū)動放大器。二本振設(shè)置的移相器用來對同批次不同模塊之間的相位差進行移相補償，以確保模塊之間的相位一致性。如圖 4 所示，電路在混頻前設(shè)置了數(shù)控衰減器 A，能夠調(diào)節(jié)進入變頻的信號功率。變頻單元設(shè)計增益為－8 dB，噪聲系數(shù)為 11 dB。

 

圖 5 變頻單元電路

 

2.3 中頻電路

 

中頻電路如圖 6 所示。中頻電路主要用來補償增益、濾除雜散信號，并通過均衡器來調(diào)節(jié)中頻帶寬內(nèi)的增益平坦度。數(shù)控衰減器 B 可以和數(shù)控衰減器 A 根據(jù)頻率控制碼進行聯(lián)合作用。數(shù)控衰減器 C用來配合溫度傳感器精確補償增益在環(huán)境溫度下的變化，也可以用來調(diào)節(jié)不同模塊之間的幅度一致性。中頻電路的設(shè)計增益為 28 dB，噪聲系數(shù)為 4 dB。

 

圖 6 中頻電路

 

根據(jù)上面的設(shè)計結(jié)果，對級聯(lián)后的系統(tǒng)指標進行了仿真計算。系統(tǒng)總增益為 34 dB，噪聲系數(shù)為5． 25 dB，滿足設(shè)計指標的要求。

 

3 幅相一致性的調(diào)控措施

 

作為本設(shè)計的關(guān)鍵指標，幅度一致性是指組件個體之間對應(yīng)于同一個射頻頻點(等功率輸入)的中頻輸出功率一致性，相位一致性是指組件個體之間對應(yīng)于同一個射頻頻點(等相位輸入)的中頻相位的一致性。由于射頻頻率被開關(guān)濾波器組劃分為8 段，所以從測試結(jié)果來看，幅相一致性對應(yīng)于 8 個射頻頻段的相位一致性。

 

幅相一致性設(shè)計主要靠以下幾點來保證:

 

①射頻鏈路中的通用器件(MMIC 芯片)需要采購?fù)慌萎a(chǎn)品;

②定制器件(MEMS 濾波器、LC 濾波器、腔體濾波器等)需要滿足幅度和相位一致性指標;

③裝配工藝中，所有裝配位置都由制造工藝來定位，而非手工定位。

 

考慮到工程實際中幅度和相位的差值積累，電路調(diào)試手段不可缺少，本組件中設(shè)置有如下措施來調(diào)節(jié)模塊之間的幅相一致性:
 

①在 LO2 鏈路上設(shè)置移相器，用于整體搬移對應(yīng)的濾波器頻段的相位。因為 LO2 是點頻，對點頻移相不用考慮頻段內(nèi)的相位平坦度。移相器的默認初始移相值為 90°，方便對相位的上下移動調(diào)節(jié)。

②在中頻設(shè)置低相移數(shù)控衰減器，用于調(diào)節(jié)各頻段的幅度一致性。低相移的特性可以確保小幅度(≤3 dB)的校正對相位的影響微乎其微(≤2°)。

 

4 實物及測試結(jié)果

 

圖 7 為變頻單元測試板，兩級變頻芯片之間采用基片集成波導(dǎo)(SIW)濾波器。

 

圖 7 變頻單元測試板

 

變頻器的實物尺寸為 130 mm×80 mm×20 mm，如圖 8 所示。

 

圖 8 下變頻器實物圖

 

同批次模塊測試結(jié)果(除幅相一致性指標外)見表 1，測試結(jié)果達到了設(shè)計指標的要求。

 

表 1 測試指標與設(shè)計指標對照表

 

同批次模塊的相位一致性測試曲線如圖 9 所示，自上而下依次為 8 個射頻通道的相位一致性測試曲線，可以看出，相位差值均在 20°以內(nèi)，達到了設(shè)計指標(優(yōu)于±15°)的要求。

 

圖 9 相位一致性測試曲線

 

同批次模塊的幅度一致性測試曲線如圖 10 所示，該曲線為 6 ～18 GHz 范圍內(nèi)的射頻頻點對應(yīng)的1． 8 GHz 中頻幅度差值?？梢钥闯?，幅度差值均在2． 5 dB 以內(nèi)，達到了設(shè)計指標(優(yōu)于±2 dB)的要求。

 

圖 10 幅度一致性測試曲線

 

5 結(jié)論

 

本文介紹了一種高幅相一致6 ～18 GHz 下變頻器的設(shè)計方案和測試結(jié)果。組件內(nèi)部采用多功能芯片，片上集成了混頻器、倍頻器、低噪聲放大器以及開關(guān)。測試結(jié)果表明，組件的無虛假動態(tài)范圍大于50 dB，噪聲系數(shù)優(yōu)于 6 dB，幅度一致性優(yōu)于±2 dB，相位一致性優(yōu)于±15°。本組件體積小，本組件體積小，集成度高，易于調(diào)試，可以滿足工程需要。（參考文獻略）

 

作者：張得才  管 飛  吳志亮  王洪林  陳 坤 

 

 

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