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    IGBT雙脈沖測試詳解

    發(fā)布時間:2021-02-07 責任編輯:wenwei

    【導讀】電源設備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì),但開發(fā)過程中,在樣機測試階段才能對其性能進行評測。有些公司為保證產(chǎn)品開發(fā)進度,僅采取不得已的補救措施,產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設計,甚至會給產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設計初期就采用IGBT雙脈沖測試,提前對硬件電路設計進行多維度測試評估,在保證產(chǎn)品是最優(yōu)設計的基礎上,提高產(chǎn)品開發(fā)效率。
     
    什么是雙脈沖測試
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖一:雙脈沖測試平臺電路及理想波形
     
    圖一左圖是雙脈沖測試平臺電路,圖中的IGBT和二極管是我們觀測的主要對象,通過示波器來觀測雙脈沖電路中的波形數(shù)據(jù),這些波形數(shù)據(jù)有:IGBT的驅(qū)動電壓Vge、IGBT的集電極和發(fā)射極的電壓Vce、二極管的電壓VF及IGBT集電極電流Ic等。
     
    圖一右圖是雙脈沖測試的理想波形,圖中分別標識了IGBT驅(qū)動電壓Vge的波形、IGBT的集射極電壓Vce波形與IGBT的集電極電流Ic波形。
     
    IGBT在t0~t3的時間段里先后開通關斷兩次,因此得名雙脈沖測試。
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖二:雙脈沖測試實際波形
     
    雙脈沖測試原理詳解
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖三:t0≤t<t1階段
     
    如圖三所示,在t0時刻,IGBT在第一個脈沖驅(qū)動下開通,電感電流流經(jīng)IGBT。此時電感電流線性上升,電流的表達式為I=Vbus*Δt/L,測試時可根據(jù)實際的電流需求來調(diào)節(jié)電感量和脈沖的導通時間。
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖四:t1≤t<t2階段
     
    如圖四所示,在t1時刻,IGBT關斷,由于整個回路的雜散電感以及二極管的瞬態(tài)導通電壓的存在,IGBT的集射極端會產(chǎn)生一定的電壓尖峰。待IGBT完全關斷,電感上的電流通過二極管續(xù)流而緩慢下降,若觀測此刻的電流,需要在二極管續(xù)流回路里增加電流探頭。
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖五:t2≤t<t3階段
     
    如圖五所示,在t2時刻,IGBT第二次開通,此時由于二極管的反向恢復電流的存在,該電流和電感電流疊加流過IGBT。通過此刻疊加電流的觀測,可以評估二極管的反向恢復特性,還可評估二極管的電壓應力。
     
    在t2<t<t3時間段,IGBT飽和導通,電感電流繼續(xù)增大,在實際雙脈沖測試時需要控制該脈沖的寬度。
     
    在保證IGBT電壓和電流處在安全工作區(qū)內(nèi)的情況下,逐漸放大脈寬,以測試極限情況下各部分電路和器件的表現(xiàn)。
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖六:t≥t3階段
     
    如圖六所示,在t3時刻,IGBT第二次關斷,此時電感電流達到最大值。
     
    如前所述,由于整個回路的雜散電感以及二極管的瞬態(tài)導通電壓的存在,IGBT的ce端會產(chǎn)生一定的電壓尖峰。
     
    待IGBT完全關斷后電感通過二極管續(xù)流,電流緩慢減小直至零。
     
    雙脈沖測試可以評估哪些方面的問題
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
     
    I型三電平雙脈沖測試
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖七:測試Q1-IGBT和D5二極管
     
    如圖七所示,當I型三電平工作在第一象限時,測試對象為I型三電平拓撲中Q1和D5,測試時給Q1發(fā)雙脈沖驅(qū)動,Q2處于常通狀態(tài),Q3和Q4處于關斷狀態(tài),電感連接在母線的N端和橋臂輸出端,圖中標紅的器件顯示了Q1導通和關斷時的電流通路。
     
    IGBT雙脈沖測試詳解
    圖八:測試Q3管和D1二極管
     
    如圖八所示,當I型三電平工作在第2象限時,測試對象為I型三電平拓撲中Q3和D1,測試時給Q3發(fā)雙脈沖驅(qū)動,Q2處于常通狀態(tài),Q4處于關斷狀態(tài),電感連接在N端和橋臂輸出端,圖中標紅的器件顯示了Q3導通和關斷時的電流通路。
     
    同理,通過改變驅(qū)動位置和電感的接法,可以測試工作在第三象限和第四象限情況下的另外的IGBT和二極管。
     
     
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