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從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設備浪涌防護難題
線繞電阻憑借高可靠性、耐脈沖電流及寬溫域性能，成為新能源與交通領域關鍵電子元件。在光伏逆變器中限制直流側電容充電電流，于風電變流器Crowbar電路吸收電網(wǎng)故障能量，為電動汽車BMS提供±0.1%精度的四線制電流檢測，并在快充樁中實現(xiàn)緊急泄放儲能。其抗震設計（10G加速度）、10萬小時壽命及-55℃~175℃耐溫特性，保障極端工況下的系統(tǒng)安全，成為新能源設備抵御浪涌沖擊、延長服役周期的核心防護器件，助力綠色能源轉型。
2025-05-22
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800V牽引逆變器：解鎖電動汽車續(xù)航與性能躍升的工程密鑰
在全球電動汽車年銷量突破3000萬輛的產(chǎn)業(yè)拐點（據(jù)BloombergNEF 2025年數(shù)據(jù)），續(xù)航焦慮與性能衰減仍是制約市場滲透率的核心痛點。作為電驅系統(tǒng)的"心臟"，牽引逆變器正通過材料革命與架構創(chuàng)新，推動電動汽車實現(xiàn)NEDC工況下750km續(xù)航與百萬公里級耐久性的雙重突破。這場由800V高壓平臺引領的技術變革，正在重構電動汽車的價值鏈競爭力。
2025-05-12
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一文讀懂運動控制驅動器的技術邏輯
電動驅動器是一種通過控制設備來調(diào)節(jié)電動機操作的系統(tǒng)。驅動器的主要任務是管理電能（以及氣動和氣動）轉換為機械能（線性，旋轉，振蕩或其他類型的運動），并針對特定應用進行了優(yōu)化。它們由幾個組件組成，包括電動機，伺服電動機，步進電動機，逆變器，傳感器和控制系統(tǒng)。
2025-05-09
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金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展 定義新能源磁性元件新標桿
2025年4月10日，深圳會展中心9號館內(nèi)，濰坊金海迪電子有限公司（展位9C515）以全球首發(fā)姿態(tài)引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領域的隱形冠軍，這家國家級高新技術企業(yè)重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器，其突破性的±0.3%檢測精度和125℃高溫耐受性能，直擊微型逆變器與儲能設備微型化痛點。展臺上，由全自動化產(chǎn)線打造的PT-3200系列貼片變壓器同步亮相，以30%的體積壓縮比和醫(yī)療級可靠性標準，向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進階之路。
2025-04-10
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。
2025-03-11
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傳輸晶體管邏輯簡介
流經(jīng)通道的電流問題會導致典型 CMOS 功能的一個更微妙但至關重要的方面。 CMOS 反相器確保輸出節(jié)點與電源軌或地具有低電阻連接；反相器總是NMOS導通、PMOS截止或PMOS導通、NMOS截止。這就是為什么我們可以說 CMOS 電路驅動邏輯低或邏輯高。這也是為什么圍繞逆變器拓撲構建的邏輯電路如此可靠的“數(shù)字”——所有節(jié)點都具有明確定義的二進制狀態(tài)，因為它們始終具有通向電源電壓或接地的低電阻路徑。
2025-02-11
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用第三代 SiC MOSFET設計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。
2025-01-17
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應用于空調(diào)、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業(yè)設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由功率芯片和具有驅動及保護功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預先調(diào)整了開關速度等特性。搭載驅動電路、保護電路、電平轉換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機的輸入信號直接控制，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，并實現(xiàn)高可靠性。另外，內(nèi)置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數(shù)量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設計變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設計時間。
2025-01-09
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
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準 Z 源逆變器的設計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓撲不同，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓撲結構增強了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓撲演變而來的，允許在一個階段進行升壓和降壓操作。
2024-12-22
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)
雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關鍵元件，安培和意法半導體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅系統(tǒng)具有很強的性能和競爭力，同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術方面的特長和意法半導體在先進功率元器件研制領域的獨到之處。
2024-12-05
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