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在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，...
2022-01-27
高壓半導體器件 擊穿電壓 漏流測量
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擔心柵極驅動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態電壓耦合到柵極驅動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討...
2022-01-27
柵極驅動器 絕緣能力 BIER測試
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談一談電源系統噪聲來源
今天在和朋友交流電力電子的問題時談到了電源系統的噪聲的問題。這里面牽扯到了如何更好的設計電源系統和如何更好的設計電子產品系統。電源系統涉及能源的轉換、電源的轉換、電源的傳遞等等。對于電子產品而言，電源主要是交流（AC）通過電源模塊轉化為直流（DC）、DC轉遞給用電端（負載芯片）使用...
2022-01-27
電源系統 噪聲 來源
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貿澤電子授權分銷超49000種Amphenol產品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯系統供應商Amphenol Corporation的新款產品和解決方案。貿澤備貨Amphenol及其41個部門的全系列產品，總數超過49600種。
2022-01-26
貿澤電子 授權分銷 Amphenol
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PMDE封裝的實機評估
本文將使用車載LED驅動器BD81A44EFV-M及其評估板，對PMDU和PMDE的發熱和效率進行比較評估，并以車載LED驅動器BD81A44EFV-M及其評估板確認其結果。
2022-01-26
PMDE封裝 實機評估
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJ...
2022-01-26
IGBT MOSFET
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如何構建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機驅動系統
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動了汽車的發展，要求汽車制造商提高新車動力總成的電氣化水平。輕混合動力電動汽車(MHEV)采用48V電機驅動系統來幫助減少內燃機(ICE) 的GHG排放，已成為實現合規性的極具吸引力的選擇，因為這種汽車的實現成本遠遠低于全混合動力電動汽車。本白皮書介紹如何使用...
2022-01-25
電機驅動 系統 MHEV
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
IGBT 集電極電壓 額定電壓
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如何利用LTpowerCAD電阻分壓器工具提高電源輸出調節精度
本文將演示如何為設計選擇正確的電源容差。具體來說，本文將使用LTpowerCAD電阻分壓器工具箱來展示如何使用元件容差并估算輸出電壓中的相應誤差。有了這些信息，設計人員就能正確決定其應用允許的容差。
2022-01-24
LTpowerCAD 電阻分壓器
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