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    F-RAM會帶來RFID標(biāo)簽的革命嗎?

    發(fā)布時間:2011-03-01 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

    F-RAM存儲器的產(chǎn)品特性:

    • 對稱性的讀/寫范圍和讀/寫速率
    • 無限次的讀寫耐用性與超低功耗
    • 具有抗伽馬輻射的特性

    F-RAM存儲器的應(yīng)用范圍:

    • 電子收費系統(tǒng)


    目前市場上的存儲器種類非常多,主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias™系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合,使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。

    MaxArias無線存儲器是高價值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護(hù)歷史數(shù)據(jù)記錄收集,能夠?qū)崿F(xiàn)高容量和數(shù)據(jù)豐富的資產(chǎn)與信息追蹤系統(tǒng),用于智能電表、航天/工業(yè)制造、庫存控制、維護(hù)歷史追蹤、藥物和醫(yī)療設(shè)備跟蹤、建筑安全,以及產(chǎn)品認(rèn)證等應(yīng)用。

    Ramtron亞太區(qū)副總裁劉勝強(qiáng)先生指出,與EEPROM相比,F(xiàn)-RAM存儲器具有對稱性的讀/寫范圍和讀/寫速率;更能達(dá)到無限次的讀寫耐用性與超低功耗,,其耐寫性是EEPROM的一億倍,寫功耗是EEPROM的三千分之一;F-RAM存儲器還具有抗伽馬輻射的特性;極高的可靠性。這些獨特賣點是其他任何非易失性存儲器所無法企及的。

    在應(yīng)用中,F(xiàn)-RAM的等能量、等距離讀寫有何特別優(yōu)勢?舉例說明,在電子道路收費中,傳統(tǒng)的汽車RFID標(biāo)簽采用的是EEPROM,它的寫入速度比較慢,寫入距離也比較近,必須采用更高頻率的信號以延長信號輻射距離,從而為讀寫數(shù)據(jù)贏得時間,而且對車速也有一定限制,這對于車輛密集的擁堵路段來說是難以接受的。如果汽車RFID標(biāo)簽采用F- RAM,很多設(shè)計變成被動式的,不需要電池,可以長距離對F-RAM做讀寫,當(dāng)汽車自動收費站以標(biāo)準(zhǔn)的860M-960MHz數(shù)據(jù)采集頻率,由于F-RAM將寫入距離從5m延長到15m,同時具有非常快寫入速率,從而可以大幅節(jié)省自動收費系統(tǒng)的部署成本和通關(guān)時間,此外,F(xiàn)-RAM寫入電壓只需1.6V,EEPROM的寫入電壓高達(dá)13V,所以采用EEPROM的存儲器的應(yīng)答器還需要額外的電池供電,而F-RAM不需要,因此可以節(jié)省許多功耗。因此,在整個電子道路收費系統(tǒng)上是一場新的革命,成本降低非常多,不單單是電池,包括之后的電池反修、更換等等……

     

    在交談過程中,劉勝強(qiáng)先生透露,Ramtron的鐵電存儲器是采用其自身專利的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體,正是這種獨特的結(jié)構(gòu),使鐵電存儲器在掉電后仍能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù),寫入速度快且具有無限次寫入壽命,不容易寫壞。雖然現(xiàn)在MaxArias的應(yīng)用是初期階段,但是有很多公司已進(jìn)入實測階段,預(yù)計在兩年時間會形成一個成熟的市場。Ramtron未來的產(chǎn)品方向是大容量,屆時還會將加密芯片加進(jìn)去,同時也會把其他一些類似周邊測體溫、測水壓也做進(jìn)去。

    最后,劉勝強(qiáng)先生表示,中國市場對于Ramtron是一個十分重要的市場,在RFID產(chǎn)業(yè)提供對稱的讀寫距離、對稱的讀寫速度、對稱的讀寫能量獨特的F-RAM技術(shù),目前為止,沒有任何一家半導(dǎo)體廠家可以提供這種技術(shù)。

     

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