高頻振蕩型接近開關由檢測元件﹑檢波單元﹑放大單元﹑整型單元和輸出單元等組成。這種傳感器內部安裝的檢測元件是由檢測線圈和高頻振蕩器組成﹐加電后檢測線圈產生一個交變的電磁場﹐當金屬物體接近電磁場時﹐金屬表面的磁通密度發(fā)生變化而產生感應電流——渦流﹐渦流產生的磁通總是與檢測線圈的磁通方向相反。由于渦流的作用﹐使檢測線圈能耗增加﹐品質系數(shù)下降﹐振幅降低﹐以至振蕩器停振。反之﹐當金屬物件遠離這個作用區(qū)時﹐振蕩器又開始振蕩。檢測電路檢測到振幅器的狀態(tài)變化后﹐轉換為一個開關量訊號。

 

 

是在使用時一定要注意操作方法，畢竟和電有關的東西都是比較危險的。接近開關屬于一 種有開關量輸出的位置傳感器根據(jù)工作原理的不同分為電感式和電容式，電感式接近開關它由LC高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個能產生電磁場的振蕩感應頭時，使物體內部產生渦流。可根據(jù)客戶需要制作成耐高溫型接近開關，最高溫度150C。

 

交流電源接入整流模塊，經濾波及三相全波整流器后變成直流，再接入高頻逆變回路，將直流轉換為高頻交流，最后經高頻變壓器、整流橋、濾波器后輸出平穩(wěn)直流。

 

高頻開關電路主要由整流濾波電路，全橋變換電路，PVm時空制電路， 穩(wěn)壓、限壓電路，穩(wěn)流、限流電路，保護電路，以及輔助電源電路等組成。

 

三相電網(或單相)電壓經電源開關后，進行整流濾波，得到的520Vdc (單相為300Vdc)的平滑直流電壓供給逆變電路。。

 

逆變電路主要由大功率IGBT模塊(或場效應MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當P沏俞出控制信號通過隔離驅動器分別驅動功率模塊，兩組對角管分別交替導通，在高頻變壓器初級產生高頻脈沖電壓,次級電壓由高頻變壓器變壓后經整流向負載提供能量。

 

輸出端分別接有穩(wěn)壓、限流和穩(wěn)流、限壓等反饋電路。當置于穩(wěn)壓狀態(tài)時，穩(wěn)壓和限流電路起作用,當輸出電壓升高或下降時，取樣電壓通過穩(wěn)玉電路內部電壓比較器跟基準電壓比較，其誤差信號電壓加到Pw時控制電路，使PV俞出脈寬作相應變化，從而穩(wěn)定輸出電壓，如負載電流過高時，限流電路工作，使輸出電流限制在限流設定值內。

 

同樣，在穩(wěn)流狀態(tài)下，穩(wěn)流電路作用，使輸出電流穩(wěn)定在設定值內，而當過壓時，限壓電路使輸出電壓鉗位在限壓值。當有異常情況(如輸入過壓或欠壓，過流或過熱等)產生保護信號加到保護控制電路時,保護電路輸出-一個電壓加到PVM電路,使PM電路停止輸出，從而達到保護目的。