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    分析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

    發(fā)布時間:2021-11-15 責任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離,這對SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應(yīng)用中,包括太陽能逆變器,所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。


    功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離,這對SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應(yīng)用中,包括太陽能逆變器,所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。


    分析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

    圖1:無芯變壓器技術(shù)[來源:ROHM Semiconductor]


    “我們所有的柵極驅(qū)動器均基于無芯變壓器技術(shù),” ROHM Semiconductor Americas應(yīng)用工程師Mitch Van Ochten說。他繼續(xù)說:“如圖1的上圖所示,它們的制造方式是內(nèi)部有三個獨立的平板。左側(cè)是低壓部分,硅與您的DSP或微控制器相連。低壓部分的工作電壓為5伏,但是如果您使用的是3.3V的微型電源,則它將接受3.3伏信號。然后在中心是擁有無鐵芯變壓器技術(shù)的我們的島嶼。這些變壓器的結(jié)構(gòu)如圖1所示。它們的銅線圈初級和次級約十匝,絕緣子二氧化硅與石英非常相似。


    碳化硅


    電子電源電路的實現(xiàn)使系統(tǒng)更小,更輕,同時也為提高能源效率提供了基礎(chǔ)。


    過去,碳化硅功率開關(guān)器件提出了許多挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)是傳統(tǒng)電源系統(tǒng)中可以接受的。在碳化硅的早期,價格很高,而且收益仍然有限。直到最近,盡管成本仍然很高,但許多公司仍專注于太陽能功率調(diào)節(jié)以及真正受益于碳化硅的其他一些功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。隨著新技術(shù)的出現(xiàn),性能和成本不斷提高。現(xiàn)在價格已經(jīng)急劇下降,電動汽車市場正朝著碳化硅果斷地邁進,使該技術(shù)成為大批量主流應(yīng)用。


    “顯然,這就是我們進行大量研發(fā)工作的地方,并創(chuàng)造了許多新產(chǎn)品。我們的第四代SiC MOSFET將會真正滿足汽車行業(yè)的需求,并通過專門針對汽車應(yīng)用調(diào)整和增強的最新溝槽技術(shù),超越某些碳化硅市場。”美洲地區(qū)總裁David Uze說道。


    SiC MOSFET的正向傳導(dǎo)狀態(tài)中不存在少數(shù)電荷載流子,而SiC體二極管的超低反向恢復(fù)電荷(Qrr)可減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的工作頻率。這些優(yōu)點導(dǎo)致無源元件的減少,并因此導(dǎo)致系統(tǒng)的尺寸和重量的減少。SiC的導(dǎo)熱系數(shù)是硅的三倍,因此系統(tǒng)具有較低的冷卻要求。


    第四代碳化硅MOSFET基于雙溝槽技術(shù)。與新型芯片的當前MOSFET相比,它的導(dǎo)通電阻(Rds(ON))降低了約40%,并且由于采用了新型MOSFET器件的電容設(shè)計,開關(guān)損耗顯著降低了25%到40%以上。這些還包括降低了來自人體懷疑反向恢復(fù)過程的反向恢復(fù)電流,這也意味著在開關(guān)期間寄生導(dǎo)通的最小風險。


    電源電路設(shè)計人員還將發(fā)現(xiàn)在半橋配置下的開關(guān)過程中反向恢復(fù)電流大大降低,這歸因于CGD/ C的提高,在高dv / dt速度下沒有MOSFET的寄生導(dǎo)通。第四代芯片設(shè)計中內(nèi)置了GS電容比。


    門極驅(qū)動器


    隨著串式逆變器取代中央逆變器,電力電子領(lǐng)域(尤其是功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域)的效率不斷提高。過渡使電動汽車可以更快地充電,并支持相關(guān)的電動汽車系統(tǒng),例如牽引逆變器和運動控制。為了使電源能夠提供更高的功率水平,同時占用更少的電路板空間,必須增加集成度。共模瞬變抗擾度(CMTI)是一個重要參數(shù),也是決定柵極驅(qū)動器魯棒性的關(guān)鍵因素。較高的CMTI值意味著隔離式柵極驅(qū)動器可用于具有高開關(guān)頻率的應(yīng)用中。


    BM6112FV-C是ROHM Semiconductor的最新解決方案。它是一款隔離驅(qū)動器,具有3750 VRMS的隔離電壓,150 ns的I / O延遲時間,并集成了各種功能,包括故障信號輸出,就緒信號輸出,欠壓鎖定(UVLO),短路保護(SCP),主動的米勒鉗制,輸出狀態(tài)反饋(OSFB)和溫度監(jiān)控器功能。


    “這是我們電流最大的柵極驅(qū)動器,我們相信是業(yè)界電流最大的驅(qū)動器之一,在許多情況下,這種高電流消除了在柵極驅(qū)動器和功率器件之間放置緩沖級的需要,并且還包括一個有源米勒鉗位,有助于防止橋的另一半錯誤開啟。它的其他功能之一是溫度監(jiān)控器。因此,此方法的工作方式是電源模塊本身通常將包含一個NTC熱敏電阻,或者您可以使用串聯(lián)二極管串,并監(jiān)視電源設(shè)備的溫度,然后將該信號帶到次級端,在此我們對其進行更改進入PWM,然后我們通過隔離變壓器耦合回初級。然后,在您的軟件中,您的DSP或微控制器會測量PWM并解釋該溫度以了解底板溫度,以便您采取適當?shù)拇胧﹣砑涌炖鋮s速度或限制占空比,無論您需要采取什么措施來保持受控狀態(tài)。我們還包括一種稱為輸出狀態(tài)反饋的安全功能。” Mitch Van Ochten說。


    該柵極驅(qū)動器具有兩個隔離類別:2500 VRMS和3750 VRMS。每個部件在該隔離電壓下測試60秒。“我們認為這種無芯變壓器技術(shù)優(yōu)于其他兩種常見方法。我們保證所有部件在一次側(cè)和二次側(cè)之間都能承受每微秒100 kV的共模電壓。這大約是某些光隔離驅(qū)動器提供的兩倍。” Mitch說。


    電子系統(tǒng)繼續(xù)為汽車應(yīng)用中引入的新功能做出貢獻。對于必須滿足嚴格的CMTI要求的所有解決方案,無芯變壓器技術(shù)都非常有趣。無芯變壓器技術(shù)非常強大,可以輕松地與創(chuàng)新的數(shù)字控制功能結(jié)合使用。


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