【導讀】現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環和晶胞設計，研發出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。
一、破局進口品牌壟斷
現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環和晶胞設計，研發出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。
二、產品應用及特點
超高壓的器件主要應用場景為音響電源、變頻器電源、逆變器、DC-DC轉換、工業三相智能電表、LED照明驅動等輔助電源。
產品特點：
1.新型的橫向變摻雜技術、超高電壓，超小內阻；
2.散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落?。?/p>
3.開關速度較低，具有更好的EMI兼容性；
4.產品性能高，可實現國產替代進口。
三、產品型號匹配應用
瑞森半導體超高壓MOSFET-RS9N90F產品匹配：
可替代國外品牌多個產品型號，如：意法STF9NK90Z， ON安森美FQPF9N90C。
超高壓MOSFET-RS9N90F漏源擊穿電壓高達900V，漏極電流最大值為9A，適用于LED照明驅動電源、變頻器電源、音響電源等。
RS9N90F的開啟延遲典型值為50nS，關斷延遲時間典型值為86nS，上升時間65nS，下降時間34nS，反向傳輸電容4pF，反向恢復時間550nS，正向電壓的最大值為1V。其導通阻抗典型值為1.2Ω，最大功耗為68W，最大結溫為150℃。此產品的儲存溫度在-55℃到150℃，可適用于大部分環境。
瑞森半導體超高壓MOSFET-RS3N150F產品匹配：
N溝道MOSFET--RS3N150F漏源擊穿電壓高達1500V，漏極電流最大值為3A，適用于逆變器、工業三相智能電表、DC-DC轉換等，可以替代3N150等型號參數的場效應管。例如，在工業三相智能電表上主要運用AC 380V變頻器反激式輔助電源其特點：
該MOS管VDS電壓1500V，在550V電壓上需留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐壓余量計算就是需要耐壓1375V，故需要應用到1500V耐壓的MOS管，而RS3N150F耐壓VDS電壓為1500V滿足應用需求；
其導通電阻為典型值5.5Ω，可降低導通損耗，降低輸入電源功耗；續漏極電流在25℃時最大額定值為3A，一般輔助電源功率在10幾V，電流余量可滿足功率需求，同時最大結溫為150℃，存儲溫度范圍均為-55℃到150℃，符合工業級溫度范圍，可完全適用于工業市場。
四、典型應用拓撲圖
五、瑞森半導體產品推薦
RS3N150F的VDS電壓是1500V，完全適合母線電壓高達800V的使用場景，并留有足夠的防擊穿余量，同時瑞森半導體還推薦如下產品選型：
（來源：RS瑞森半導體）
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