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    運(yùn)用雙MOSFET避免SEU的影響

    發(fā)布時(shí)間:2024-06-08 責(zé)任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】很久很久以前,在一個(gè)遙遠(yuǎn)的星系中,有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā),而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。


    很久很久以前,在一個(gè)遙遠(yuǎn)的星系中,有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā),而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。


    這種情況經(jīng)常重復(fù)出現(xiàn),而且仍有更多的亞原子物質(zhì)正朝著這個(gè)方向發(fā)展。當(dāng)它們到達(dá)時(shí),它們會(huì)非常地分散,以至于可以單獨(dú)地檢測(cè)到在它們之中的任何一個(gè)。遺憾的是,進(jìn)行這種檢測(cè)的對(duì)象是您巧妙設(shè)計(jì)到產(chǎn)品中的半導(dǎo)體時(shí),造成的結(jié)果被稱為“單粒子翻轉(zhuǎn)”(single event upset,SEU),在某些情況下,它可能造成相當(dāng)大的破壞。如果您的產(chǎn)品處于地球軌道或在太空中的其他地方快速移動(dòng),這一點(diǎn)尤其值得關(guān)注。


    以使用MOSFET的推挽式逆變器為例。如果“off”側(cè)MOSFET在本不應(yīng)該開啟的時(shí)候被錯(cuò)誤地開啟,其結(jié)果可能會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)軌電壓對(duì)接地近乎短路。類似這樣的事件可能是災(zāi)難性的。


    這張草圖顯示的就是這樣的一種逆變器,但它具有保護(hù)功能,能夠避免因單粒子翻轉(zhuǎn)而造成的災(zāi)難。


    運(yùn)用雙MOSFET避免SEU的影響

    圖1:每個(gè)標(biāo)示的“X”表示MOSFET正經(jīng)歷一次單粒子翻轉(zhuǎn)。


    無(wú)論哪一個(gè)MOSFET因單粒子翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)通,其余三個(gè)開關(guān)位置都將保持開關(guān)狀態(tài),直到受到?jīng)_擊的MOSFET開關(guān)位置恢復(fù)正常。


    在此電路中,單粒子翻轉(zhuǎn)將會(huì)暫時(shí)干擾變壓器驅(qū)動(dòng)平衡,但并不至于對(duì)+Vcc軌造成潛在的災(zāi)難性下拉,因?yàn)槭苡绊懙腗OSFET的配套MOSFET可以維持預(yù)期的開關(guān)狀態(tài)。

    文章來(lái)源:EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì)

     

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